微电子所在超高速ADC/DAC芯片研制方面取得突破性进展

　　近日，中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)超高速电路课题组在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性进展，成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片。

　　ADC芯片采用带插值平均的Flash结构，集成约1250只晶体管。测试结果表明，芯片可以在8GHz时钟频率下稳定工作，最高采样频率可达9GHz。超高速DAC芯片采用基于R-2R的电流开关结构，同时集成了10Gbps自测试码流发生电路，共包含1045只晶体管。测试结果表明，该芯片可以在10GHz时钟频率下正常工作。

　　超高速ADC/DAC芯片在光通讯及无线宽带通信领域有广阔的应用前景。这两款芯片的研制成功，大大提升了国内单片高速ADC和DAC电路的最高采样频率，也为今后研制更高性能ADC/DAC电路打下了坚实的基础。

　　图1：高速ADC芯片评估板以及芯片照片

　　图2：8GS/s采样率下时钟输出以及D0、D1、D2数据信号眼图实测结果

　　图3：高速DAC芯片评估板以及芯片照片

　　图4：微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)测试结果

大电流电感

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注塑加工厂

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