UC3842B反激电路一上电mos管就炸了。
根据网上的资料和手里的一个小功率电瓶车充电器，自己动手做了个60V2.8A的充电器，但是一上电MOSFET就炸了，我把部分图以PDF格式上传，大神帮我看看是什么原因。
还有变压器是PQ32 35的，原边两个17T的半绕组 总共34T,初级侧UC3842供电绕组4T，主输出绕组20T，还有一个辅助输出绕组4T,初级侧34T的电感量为390uh。大家来给我指导下吧。Sheet1.pdf
图中R9接法、C3C4取值、D2选型，以及输出采样电阻等设计有问题，变压器同名端再核对一下，改好后串灯泡上电测试。
变压器同名端没有问题，还有忘了说了我这是在空载的情况下，你说的这些也不至于不能工作吧
大神来帮帮忙呀
C3 C4 0.1uF 容量太大了，芯片的工作频率会很低 很低，3脚斜率 再用个1.2k分压+0.1uF滤波，3脚基本取不到电流波形
芯片频率低，意味着单个脉冲的最大脉宽极大，3脚得不到限流波形，基本没限流功能，炸机是应该的。
改进方法，R13 去掉，C4典型参数1nF，C3典型参数范围100pF-1nF，
我是在空载的情况下测试的，然后就炸了
还有现象是初级侧的那个采样电阻给烧坏了。mos管各个极之间都导通，但是mos管外观完好
为什么2脚的VFB是接地的，你这样不是没有反馈了吗？脉宽是无限制全开……原理有问题，好好的看看资料！
2脚接地,屏蔽内置误差放大器，可以这样接。
大神，我现在C3和C4的值改了，C3,470pF C4，1nF，空载的时候已经没问题了，电压正常，但是接上负载之后还是会炸，初级侧取样电阻炸了，mos管和UTC3842也炸了，能不能帮我看看是什么原因？
还有地方没改好，看下2楼，或者参考一下别人的电路。
R9那有什么问题？
R9应该跟光耦并联。D2用快恢复二极管，比如MUR840。
R24改0.5欧姆，3842芯片，小于0.5欧姆，炸机居多。R9不接地接光耦的2脚，C3不要装，再试试
MOS管击穿一般是因为端电压太高所致，刚才算了一下，你这个反激的拓扑，MOS两端承受的最高电压应该是1.414*Vin+Vor+变压器初级漏感产生的电压尖峰，大概的值应该是1.414*220+60*20/34+50=463V，应该是没问题的，你可以试试输入电压从低至高慢慢调上去观察Vds两端波形，再看看是不是RCD吸收电路有问题没有吸收初级的漏感。
看看电位器是不是在最大值状态，如果电位器调得较小，有可能输出太高，电解电容已经损坏（63V耐压太低了）。
看你的反馈回路了或者限流减小
楼主,你的D2C3,C4R13吓到我了....
高压击穿导致的
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