测试电源短路保护时，低压端正常，高压端炸了芯片，于是用示波器测VDS波形，在低压时短路保护时测波形，发现VDS尖峰已经非常大了，所以高压时肯定会炸芯片。 请问这是什么原因了，怎么补救？烦请指教！ AC75V输入.png(1.2 MB, 下载次数: 27)下载附件2020-6-7 11:57 上传  低压输入未短路保护时VDS波形 短路.png(1.66 MB, 下载次数: 25)下载附件2020-6-7 11:58 上传低压输入短路时VDS波形3.png(38.92 KB, 下载次数: 27)下载附件2020-6-7 11:58 上传原理图部分典型二次开通了。 不是IC有问题就是PCB布局有问题。
把RCD改为这种方式钳位了，短路时波形正常了，也没炸机了，但之前的RCD钳位的波形这么奇怪根源没找到心里没底。
。 下面是改后的钳位电路和高压短路波形。 烦请指导
IC的FB脚接地？一是OCP是不是太大了，二是变压器有没有饱和，低压时尖峰本身就是比较高，这是正常的，只是你的短路波形并不正常，有二次导通的现象，
IC有原边反馈和副边反馈方式，副边反馈FB需要接地。 RCD改了后短路波形正常了，但之前的电路不知道为什么不行，心里不舒坦，烦请指导。 。 图在楼上，谢谢
东微的竞品是英飞凌、ST等国际一线MOS品牌厂商，CooL MOS,目前在PD快充行业，很多客户使用东微超级硅产品，性价比非常好。 刚在华为、OV、小米等知名客户通过认证，进入代工厂商的MOS品牌供应序列。 如有东微MOS需求、咨询，请联系深圳市鑫驰创科技有限公司，0755-82791456。 谢谢！
你被变压器祸害了。
求大佬IGBT短路原理解析大佬们帮我看看，为什么IGBT短路测试的时候,进入到退饱和（线性工作区）之后，为什么Vce之间的电压不会降低到0，反而是上升？而当安全反偏电压工作区，Vce之间的电压会变为0？
退保和了 Vce 采用PL-LCD体系结构的图像拼接技术简介LCD 在显示市场继续占有很大的份额，是目前平光致发光一液晶显示器(PL 一LCD )的概念首先由板显示器研究的主流，因此目前的图像无缝拼接技术剑桥大学光子和传感器研究组提出。这种新型的开发主要针对L [开关电源]快速开关智能整流芯片– ZCC6908 兼产品特点： 1.可以在宽输出电压范围的应用中，最低0V 2.芯片在电路中自给供电可以输出很低的电压，不需辅助绕组 3.使用标准的12V和5V逻辑电平SR Mosfet 4.符合能源之星1W备用要求 5.＜30us的快速关断和开启延时 6.＜100uA的静态电流 7.支持DCM、Quasi-Resonant和CCM操作 8.同时支持高边和低边整流 9.在一个典型笔记
|
在线客服1号