（2）间隔层：它是由保护装置、测控装置、故障录波装置等智能设备所构成。基于iec61850标准的220kv数字变电站的间隔层采用goose传递信息。 （3）站控层：220kv数字变电站的站控层，其结构方面主要包括了：全球定位系统（gps）、后台监控、网络总线、保信网、防误操作等系统构成。需要指出的是，由于在在过程层和间隔层之间组建了goose网络，从而有效地实现了goose跳（合）闸、各间隔开关量的采集及设备之间的互锁。 2、220kv数字化变电站建设中的主要技术问题 2.1 电流电压回路的接入方式 常规综自站的电流电压回路，一般采用点对点接入的方式，用控制电缆将互感器二次侧的电流电压接入保护、测控装置，在保护、测控装置内实现交流采样。220kv数字化变电站的光电互感器采用光纤输出后，传输的不再是交流的电流、交流的电压了，而是采样后的数字编码信息，对此而衍生的技术问题有待研究。 2.2 220kv线路两侧纵联电流差动保护装置的配合 220kv线路大多配置纵联保护。其中，又以纵联电流差动保护为主。目前，建设220kv数字化变电站时，一般只在新建220kv变电站采用数字化设备。220kv线路对端的变电站扩建变电间隔时仍采用常规一次、二次设备，不采用数字化设备。否则，扩建间隔设备将无法接入现有母线保护、故障录波器等公共二次设备，也无法使用已有的母线电压互感器。 2.3 保护跳闸方式 对于220kv变电站经常出现两、三套保护装置甚至更多套保护跳同一个断路器的情况。常规综自站只需将这多套保护至此断路器的跳闸回路接到此断路器的操作回路并联起来，即可实现多套保护的分别跳闸，互不影响。对220kv数字化变电站来说，保护装置均为光纤方式跳闸，无法直接并联起来。220kv数字化变电站保护跳闸回路采用光纤传递数字化的跳闸命令。
芯片设计过程及国内主要公司芯片从宏观到微观，达到最底层，其实全是晶体管以及连接它们的导线。芯片的制造过程包括芯片设计、晶圆生产和芯片封装以及测试等环节;1． 芯片设计：芯片设计是行业的顶端，包含电路 TMS320C31和80C196双CPU构成的高速实时控制介绍了采用TMS320C31和80C196双CPU构成的高速实时控制系统的基本构成,给出了TMS320C31、80C196与双口RAM IDT7140之间的接口电路,IDT公司双口RAM系列的中断逻辑 有大佬帮忙推荐个芯片吗？输入电压最小=34输入电压标称=60输入电压最大=100输出电压=12v输出电流最大=1a成本越低越好，最好用buck电路有大佬吗 帮帮忙
LM5164
ZCC8501耐压100V 1A ESOP8封装
2/4 首页 上一页 1 2 3 4 下一页 尾页 |
在线客服1号