(2)自己设计掉电保护电路使用普通的SRAM，DRAM。闪速存储器是一种非易失性存储器，即使切断供电电源以后也能保持所存储的数据，在不加电的情况下存储在内的信息可长达lO年之久。闪速存储器可以随机寻址、访问时间很短，能抵抗强烈的碰撞，具有很强的环境适应性，可靠性好，平均无故障时间可达数百万小时。因此可以取代硬盘用于可移动设备、工业电子产品领域及恶劣环境中，其性能价格比很好。系统选用Atmel公司生产的闪速存储AT29C040芯片，它是国外新一代产品，容量可达4 Mb，采用分页管理方式，这种芯片的读/写与一般RAM有所不同。对芯片的基本操作如下： 读：当CE和OE为低，WE为高时，由地址决定的存储器单元将数据输出;当CE或OE为高时，输出为高阻态。这种双线控制为设计者防止总线争用提供了灵活性。 字节装入：用于输入要编程的128 B(一个扇区)数据或保护数据软件代码。当OE为高时，对WE加一负脉冲同时CE为低，或对CE加负脉冲同时WE为低时，将地址在CE或WE首先下降的一个下降沿锁定，数据由CE和WE首先上升的上升沿锁定。 编程：芯片编程以扇区为单位。如果要改变扇区中的一个数据，扇区中所有的数据都要重新装入芯片，扇区中所有没有装入的字节在编程中都将被擦写为FFH。一旦一个扇区中的所有字节都装入芯片，芯片立即在编程周期中对其进行编程，在第一个字节装入后，后续字节以同样方式装入。每一个新装入字节的WE由高到低的跳变必须在前一个字节WE信号由低变高的150μs以内。如果在上个装入字节后150μs内没有检测到WE由高向低跳变，装入周期终止，内部编程周期开始。A7～A16确定扇区地址，在WE由高到低的变化中必须有效，A0～A6确定扇区内的字节地址，装入字节可以任意次序，不必顺序装入。
反激式变压器二次输出端滤波电容发热，个别烧掉
如上图，二次端输出电压为5V，C+2为钽电解电容，规格为16V，100uf。使用过程中发现C+2和L1有发热现象。现在发现有个别钽电解电容烧掉，概率1/4000.钽电解电容正极电压波 解读DC/DC Buck变换器的充电管理电路电子发烧友为您提供的解读DC/DC Buck变换器的充电管理电路，介绍了一种带有线路补偿功能的车载USB充电器的设计，使得USB充电端口的电压随着电流的增大而提高，实现了USB充电电压的恒定，保证了USB端口的充电电流。 对大功率点灯或电动机上的电流调节方法本文将会展示如何设计一种电路，来对大功率电灯或电动机上的电流进行调节。该设备采用 MCU 工作，可确保用 PWM 信号来驱动电力负载。开关元件以 SiC MOSFET 为代表。改变大功率
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