本次，将从LC复合型EMI滤波器开始连载。 ＜C与L组合后，插入损耗会出现急剧的下降趋势＞ 之前，介绍了电容器与电感器组合后比单体的插入损耗下降趋势更急剧。 图１显示了其图形特征。  图1 滤波器的元件数与频率特征 如图所示，滤波器元件数量越多，则滤波器插入损耗下降趋势更急剧。 ＜滤波器的插入损耗特性的倾斜度越大，则信号与噪音的选择性也相应提高。＞ 随着滤波器的插入损耗特性倾斜度变大后，当信号接近于噪音的频率后，就难以对信号再造成不良影响。图2显示了信号频率较高，而接近于噪音频率时的例子。当两者的频率接近后，若使用插入损耗较平缓的滤波器，并选择可充分降低噪音的常量后，频率临近的信号高次谐波成分也得到充分减弱。其结果，即如图3显示，信号波形则变平缓。如选择不会对信号频率造成影响的常量，则会导致无法充分减少噪音。另一方面，若使用插入损耗特性变化倾斜度大的滤波器，便能选择分离信号与噪音，更可有效控制其对信号造成的影响。为此，LC复合滤波器静噪效果可用于想尽可能抑制高速信号线路中对信号波形产生的影响。  图2 不同滤波器特性对信号所造成的不同影响 
LM5030推挽电源输出电压跌落问题最近使用TI的LM5030做了一款推挽电源，输入24V输出12V/1.5A 空载输出电压很稳定，但是带载后电压小幅度跌落输出接电子负载，电子负载以0.1A递增，输出电压则以0.1V开始缓慢跌落，这个 高边PMOS管，既控制电源输出的导通与断开，同时想通 本帖最后由 yugzhi 于 2017-3-31 17:14 编辑 如题：各位大侠，我的电源输出在高边有一个PMOS管，为了保证可靠性，不能在低边做电流检测和用NMOS做导通与断开，只能在高边用PMOS管做导通与断开控制，同时电流检测也需要高边检测。 有人说可以通过检测PMOS内阻来确定过流的情况。 请问如何设计这个高边的电流检测，1：如果PMOS关断时，内阻之间的电压相当于电源输出的整个电压。 2：过流时PMOS内阻会不会变？如何比较精确的设定过流电阻的 关于开关电源的一个问题 本帖最后由 叫我如花 于 2018-6-23 16:37 编辑 诸位大神好，问几个小问题。 如上面一个开关电源，加入我把AC220通过一个简单的整流桥整流成直流电，那么用这个直流电作为开关电源的输入，会不会有什么问题。 还有几个小问题。 1 AC220V通过整流桥整流成直流电以后，没有滤波电容的情况下，整流出来是多少V，正极的波形是类似于正弦波么？2 加滤波电容以后，整流出来是多少V呢，另外，如何加，加多大的滤波电容比较合适，整流出来的波形是什么样子？有没
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