小弟使用SF1565SGT芯片，使用官网提供的设计辅助工具，然而按照上面的计算参数，得出的开关电源带负载能力弱，于是尝试将电流采样电阻变小后，发现带负载能力变强了，但是OCP时最大磁通密度大于了要求的0.3T，
于是我做下试验，采用两组：
1组，采样电阻2.5欧姆的开关电源，输出0.8A （最大输出电流在0.9A左右）
2组，采样电阻1欧姆的开关电源，输出1A（最大输出电流在1.5A左右）
两组目前通电1天左右，无明显差距，发热量也几乎相差不多，求大神解释会有啥隐藏的问题吗
測試最惡劣情況下，變壓器是否飽和
不見得0.3T就不行，有時磁芯好材料可以使用更大
我用它设计辅助工具算出来，1欧姆的时候已经0.86T了，不知道这样有问题没
我测了下变压器是否饱和，用的是http://bbs.21ic.com/icview-128446-1-1.html中说到的方法
就是测量原边电流，看看是否线性或是否突然增加
测得数据为：
输出电流（A） 原边电流（mA） 原边电流/输出电流（10的-3次方）
0.103 5.30 51.46
0.201 9.46 47.06
0.303 13.70 45.2
0.408 18.00 44
0.508 21.8 42.9
0.615 26.10 42.4
0.691 29.14 42.17
0.826 34.68 42
0.951 39.8 41.8
1.074 45.3 42.18
1.285 55.5 43.2
1.429 61.2 43.09
1.552 67.8 43.7
1.666 73.4 44
再加功率则开关电源无效，无电压输出
各位大牛看下，这样测出的数据是否可以说变压器没有饱和？这样测是不是科学？
Bmax=Ip*Lp/(Ae*Np)
Ip就是初级电流，可以用OCP前，CS脚的电压除以CS脚的电阻，这个用示波器量。
Lp就是你的变压器的感量，用电桥量
Ae就是你所用的变压器中心柱的截面积，单位平方毫米
Np就是你的变压器初级的圈数，
你算一下是多少，0.32以内，OK
0.35以内，勉强，如果要求不高的话。
谢谢大牛解答，不过我测出来数据如下：
电流是单位是什么，我的参数：
Ip，5.5 微安（用万用表串进去测试）
Lp，4.962mH
Ae：86平方毫米
Np：54
PS：用示波器测量CS电阻两端的电压，测不出来，而且有很多杂波，尖峰
万用表测IP是测不出来的，
把你的CS波形贴出来，你的示波器探头是怎么接的？一般都是能看出来的，示波器100mV/格，10uS/格
大神，是测量R32两端电压么？
测R32两端电压波形如下：
CS脚对地的波形，不是R32两端
大神，CS脚电压对地波形是这样的，然后您说的那个对CS脚的电阻是哪个？如图：
示波器带宽限制为20MHz再试一下，波形也不对，一簇一簇的，按正常的应该是均匀的，
CS脚的电阻就是R11，R13
R10与C8是RC滤波
大神，恕我小白...我觉得一簇一簇的不是因为MOS管通断通断导致的么，还有我那个RC电路，电容没加上去，会不会有影响
20MHZ波形如下，还是一簇一簇的
加个0.1的滤波电容，接CS和VGND，CS点电压 滤波器图形为：
把0.1换成加个0.01电容后，CS脚电压如下图（单个放大后）：
0.01uF?nF?
一般用100pF~470pF左右，
大神，我用了200pF的电容，得出的波形和16帖的一样的，能不能帮我解释下是什么原因呢？
（PS；一簇一簇会不会是本身MOSFET通断造成的，或是我驱动MOSFET的变压器有问题）
实际测试PC40的在0.38时开始出现磁芯饱和现象,带载弱是变压器设计不合适。
我官方计算辅助工具算出来都0.7多了.....不过官方那个典型电路才一个MOS，而我用了的是变压器驱动两个MOS管，不知道是不是不一样,好迷茫
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