现在像这么大的电源很多都要做到5V3.4A的功率，像这种又做不了IC和MOS集成的，变压器，PSRIC,MOS,和同步整流IC都距离很近，导致温升会较高。这个时候我们会选择提高变压器的效率和减少MOS管的开关损耗来达到降低温度的目标，但是选择MOS的时候就会比较困难了，一般选择了cool MOS，效率是高了很多，但是EMI差了，等到你把EMI调好了之后又会发现效率掉到跟平面MOS是一样的了，所以真的很痛苦。
不知道大家有没有这种纠结？
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往后的趋势， 低电压充电大电流输出，5V2A 还有更高的手机充电器9V2.5A好像。体积大些 充电速度更快！
应该是功率大些，充电快些吧？感觉体积是越做越小啊
基于EPM1240的SDRAM控制器的设计摘要：SDRAM的读写逻辑复杂，最高时钟频率达100 MHz以上，普通单片机无法实现复杂的SDRAM控制操作，复杂可编程逻辑器件CPLD具有编程方便，集成度高，速度快，价格低等优点。因此选用CPLD设 LED前照灯热设计要想降低LED前照灯的耗电量，只通过第一回中提到的配光控制来减少白色LED的光损失，并在少数几个地方获得所期望的配光特性是不够的。此外还必须能够在高效状态下使用白色LED。而其中的关键就在于如何使白色 关于BMS的二次保护芯片关于BMS的二次保护芯片已经用了电池管理芯片管理电池组每节电芯那二级保护芯片也有对应的管脚接在每节的电芯上这样不会和电池管理芯片冲突吗？芯片之间不会发生灌流？
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