【我是工程师】深入理解MOSFET规格书/datasheet

作为一个电源方面的工程师、技术人员，相信大家对MOSFET都不会陌生。本论坛中，关于MOSFET的帖子也应有尽有：MOSFET结构特点/工作原理、MOSFET驱动技术、MOSFET选型、MOSFET损耗计算等，论坛各大版主、大侠们都发表过各种牛贴，我也不敢在这些方面再多说些什么了。

工程师们要选用某个型号的MOSFET，首先要看的就是规格书/datasheet，拿到MOSFET的规格书/datasheet时，我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢？

本帖的目的就是为了和大家分享一下我对MOSFET规格书/datasheet的理解和一些观点，有什么错误、不当的地方请大家指出，也希望大家分享一下自己的一些看法，大家一起学习。

PS：1. 后续内容中规格书/datasheet统一称为datasheet

2. 本帖中有关MOSFET datasheet的数据截图来自英飞凌IPP60R190C6 datasheet

先附上IPP60R190C6 datasheet

IPP60R190C6-DS-v02_02-EN.pdf

大神你好：

请问MOS管或IGBT单次开通或关断时的损耗怎么从Datasheet直接看出来？？？我看别人文献，说可以直接看出来，单位是 mW/s ,乘以频率f就是开关损耗。。。。。求解答！！！

比如下图，请参考

学习了。。。。。

请教 higel，有两款 Power MOSFET，它们的规格书中‘单脉冲雪崩能量’参数值分别标示为 A管 = 90 mJ；B管 = 390 mJ。

但A、B两管的测试条件不同，该如何判断哪一款的‘单脉冲雪崩能量’参数优劣？请指点一二为盼！

参数标示值如下：

对于MOSFET Datasheet上的参数，你最关心的是哪一个/几个：

VDS？ID？RDS(on)？Vgs(th)？封装？Ciss,Coss？Qgs,Qgd,Qg？体二极管？雪崩？……

没人回应

那我就从VDS开始吧！

datasheet上电气参数第一个就是V(BR)DSS，即DS击穿电压，也就是我们关心的MOSFET的耐压

此处V(BR)DSS的最小值是600V，是不是表示设计中只要MOSFET上电压不超过600V MOSFET就能工作在安全状态？

相信很多人的答案是“是！”，曾经我也是这么认为的，但这个正确答案是“不是！”

这个参数是有条件的，这个最小值600V是在Tj=25℃的值，也就是只有在Tj=25℃时，MOSFET上电压不超过600V才算是工作在安全状态。

MOSFET V(BR)DSS是正温度系数的，其实datasheet上有一张V(BR)DSS与Tj的关系图（Table 17），如下：

要是电源用在寒冷的地方，环境温度低到-40℃甚至更低的话，MOSFETV(BR)DSS值<560V，这时候600V就已经超过MOSFET耐压了。

所以在MOSFET使用中，我们都会保留一定的VDS的电压裕量，其中一点就是为了考虑到低温时MOSFETV(BR)DSS值变小了，另外一点是为了应对各种恶例条件下开关机的VDS电压尖峰

说到电流，那么接下来就开始看ID

相信大家都知道MOSFET最初都是按xA, xV的命名方式（比如20N60~），慢慢的都转变成Rds(on)和电压的命名方式(比如IPx60R190C6, 190就是指Rds(on)~).

其实从电流到Rds(on)这种命名方式的转变就表明ID和Rds(on)是有着直接联系的，那么它们之间有什么关系呢？

在说明ID和Rds(on)的关系之前，先得跟大家聊聊封装和结温：

1. 封装：影响我们选择MOSFET的条件有哪些？

a) 功耗跟散热性能 -->比如：体积大的封装相比体积小的封装能够承受更大的损耗；铁封比塑封的散热性能更好

b) 对于高压MOSFET还得考虑爬电距离 -->高压的MOSFET就没有SO-8封装的，因为G/D/S间的爬电距离不够

c) 对于低压MOSFET还得考虑寄生参数 -->引脚会带来额外的寄生电感、电阻，寄生电感往往会影响到驱动信号，寄生电阻会影响到Rds(on)的值

d) 空间/体积 -->对于一些对体积要求严格的电源，贴片MOSFET就显得有优势了

2. 结温：MOSFET的最高结温Tj_max=150℃，超过此温度会损坏MOSFET，实际使用中建议不要超过70%~90% Tj_max.

回到正题，MOSFET ID和Rds(on)的关系:

(1) 封装能够承受的损耗和封装的散热性能(热阻)之间的关系

(2) MOSFET通过电流ID产生的损耗

(1), (2)联立，计算得到ID和Rds_on的关系

有个问题请教下：

(3)式的成立时建立在（2）的基础上，但是PD仅仅等于直流损耗吗？一般MOSFET的损耗中直流损耗和开关损耗占的比例都不少，这样只计算直流损耗而忽略开关损耗，会不会造成很大的误差？

ID的定义是Continuous drain current，所以此处计算忽略了开关损耗

想请教个问题，如果结温是150度的MOS、在极端异常情况下接近150度，是否马上会损坏（这是一个界限转换点吗？损坏的机理是什么？是不是当达到150度时，内部电流密度太大从而烧毁？）。还是说想电容光藕一样，不会马上坏但是会对寿命造成很大的衰减呢？

各个厂家应该都会留有余量，应该不会是刚好150度就坏的。

光耦是光衰，电解电容是电解液的挥发，MOSFET没有这种寿命衰减的说法。

今天看到一篇文档，上面有提到MOSFET的寿命是跟温度有关的。（下图红色框中）

请教一下：您说的对于低压MOSFET还得考虑寄生参数 -->引脚会带来额外的寄生电感、电阻，寄生电感往往会影响到驱动信号，寄生电阻会影响到Rds(on)的值。

1. 影响驱动信号，是因为低压MOS驱动电压相对高压MOS比较低，所以寄生电感需要注意吗？

2.寄生电阻也是因为低压MOS的Rds（on）相对小些，所以也要关注？

这些都是相对的，应该是所有的管子都要考虑。

1. 是的！因为低压MOSFET的Vgs_th相对要低，所以同样的计生电感产生的Vgs尖峰，在高压MOSFET中达不到Vgs_th，但这个电压可能会大于低压MOSFET的Vgs_th。

2. 是这样的！假设高、低压MOSFET引脚的电阻都为0.5mR：对高压MOSFET来说，目前最小Rds(on)也就20mR左右，0.5mR/20mR=2.5%，但对低压MOSFET来说，目前Rds(on)最低可以<1mR，0.5mR/1mR=50%。所以相对来说，寄生电阻/引脚电阻在低压MOSFET中显得尤为重要。

其实ID只是个参考值，损耗【ID*Rds(on)^2】引起的温升超过Tj_max才是MOSFET坏掉最终原因

瞬态结温要怎么计算？

有没有计算工具或者相关文档

仔细看看这个帖子吧，有介绍的

文档我找找，找到了发上来

雪崩是电压的概念，瞬间大电流并不是指雪崩

瞬间大电流是因为I^2*Rds(on)损耗导致温升超过Tj_max损坏MOSFET的

不是说只有电压没有电流，一般判断是否进入雪崩是看电压波形

算雪崩能量时还是必须得用到电流的

Rds(on)

从MOSFET Rds(on)与Tj的图表中可以看到：Tj增加Rds(on)增大，即Rds(on)是正温度系数，MOSFET的这一特性使得MOSFET易于并联使用。

Vgs(th)

相信这个值大家都熟悉，但是Vgs(th)是负温度系数有多少人知道，你知道吗？(下面两图分别来自BSC010NE2LS和IPP075N15N3 G datasheet.)

相信会有很多人没有注意到Vgs(th)的这一特性，这也是正常的，因为高压MOSFET的datasheet中压根就没有这个图，这一点可能是因为高压MOSFET的Vgs(th)值一般都是2.5V以上，高温时也就到2V左右。但对于低压MOSFET就有点不一样了，很多低压MOSFET的Vgs(th)在常温时就很低，比如BSC010NE2LS的Vgs(th)是1.2V~2V，高温时最低都要接近0.8V了，这样只要在Gate有一个很小的尖峰就可能误触发MOSFET开启从而引起整个电源系统异常。

所以，低压MOSFET使用时一定要留意Vgs(th)的这个负温度系数的特性！！

睡觉

MOSFET带寄生电容的等效模型

Ciss=Cgd+Cgs, Coss=Cgd+Cds, Crss=Cgd

Ciss, Coss, Crss的容值都是随着VDS电压改变而改变的，如下图：

Qg

从此图中能够看出：

1. Qg并不等于Qgs+Qgd！！

2. Vgs高，Qg大，而Qg大，驱动损耗大

频率变化对Ciss,Coss,Crss没什么影响的，主要考虑VDS对这几个值的影响

50kHz时也可以按datasheet中标的值去用

在半桥LLC拓扑中，在死区时间时，我们需要将上下桥臂中的一个MOSFET Coss上的电容从0充电到Vin，同时将另外一个MOSFET Coss上的电容从Vin放电到0，此时等效电容Ceq等于上下桥臂MOSFET的Ciss之和，但由于上下桥臂MOSFET上VDS电压的差别，Ceq的电容将会如下图：

学习学习，楼主辛苦了！

Vgs(th)是MOS管的启动电压，达到Vgs(th)，MOS管刚刚开启，但没有完全导通，一般达到10V以上，管子完全导通。

并不是这样的，每个MOSFET都得有自己的驱动电阻，建议最好每个驱动电阻再串联一个小磁珠

赞一个！！！

按道理说，温度越高，漏电流越大，耐压越低才是，为什么温度高了反而耐压高

半导体材料还有这样一个特性：温度越高，电阻率越高（刚刚百度的）

这个特点就可以解释为什么温度高耐压就高了

请教一个问题。MOS的VDS是正温度系数，但是这个值有什么影响呢？（与常温比较）。因为击穿后，MOS的温度是上升，这个时候VDS也会上升，导致雪崩停止。举个例子，假如60V的MOS，在低温下（-55C）击穿电压温54V，该MOS在应用中，VDS的关断后平台电压为56V，那么在低温下就会击穿雪崩，但是因为温度会上升，VDS击穿电压也上升，雪崩自然很快截止，所以电源还是安全的。

还是说这种情况的应用是很危险的，因为从另一个角度说，MOS的损害与两个因素有关：一个是表现为热（结温）；一个表现为Idsmax。在雪崩的发生时，由于VDS平台的能量太大，Idsmax会超出了MOS的最大承受电流，从而MOS损坏呢。

上面这两种情况，那一种会先动作呢？1）温度上升，雪崩停止；2）电流过大，雪崩停止前，MOS已经损坏。。

这个地方，看起来确实有点矛盾的感觉，但是为了可靠性的考虑希望实际应用时考虑一下低温时的BVDSS。

我认为MOS的损坏最终还是因为热，所以当散热能力足够好时，可能会是（1），当散热能力不够时，可能是（2）。

你是怎么看的？欢迎指点！

还有体二极管的几个参数，补上！

trr，二极管反向回复时间 ==>越小越好

Qrr，反向恢复电荷 ==>Qrr大小关系到MOSFET的开关损耗，越小越好，trr越小此值也会小

trr越小此值也会小---------这个未必

从上图看出，Qrr就是Qs+Qf，也就是以trr为底以Irrm为高的三角形面积，可见考量反向恢复损耗时还要考虑反向恢复电流Irrm，相同的Qrr时，trr越小意味着Irrm越大，di/dt也大，反向恢复特性越硬，这种特性在超结MOS上暴露无遗

多谢武哥指正

我这种说法有局限性，前提条件得是di/dt是一样的

事实上不同制程的MOS，如果只看trr和Qrr也是不够准确的反应反向恢复特性，因为qrr未必是一个规则的三角形，差不多的“面积”和“低”也会有很不一样的“高”

以下是2款不同制程的MOS，平面MOS和

从参数来看，平面MOS在数据上比不上超结MOS，但从波形上看好了很多。

这个还请武哥帮忙分析一下，是什么参数会让波形有这么大的差别，让我们学习一下！

平面MOS用着比coolmos结实，尤其是做短路保护时效果很明显

这些是同一个板子，同样条件下测出来的波形吗？

我怀疑他的曲线是酱紫的

多谢武哥讲解！

这张图很形象，一下就了解了

这个参数我一直不知道什么意思。 100V 100Amos 但是不是每个手册里面都有这个参数的

会的！

明天来更新SOA~

SOA曲线可以分为4个部分：

1. Rds_on的限制，如下图红色线附近部分

此图中：

当VDS=1V时，Y轴对应的ID为2A，Rds=VDS/ID=0.5R ==>Tj=150℃时，Rds(on)约为0.5R

当VDS=10V时，Y轴对应的ID为20A，Rds=VDS/ID=0.5R ==>Tj=150℃时，Rds(on)约为0.5R

所以，此部分曲线中，SOA表现为Tj_max时RDS(on)的限制

2. 最大脉冲电流限制，如下图红色线附近部分

此部分为MOSFET的最大脉冲电流限制，此最大电流对应ID_pulse.

3. VBR(DSS)击穿电压限制，如下图红色线附近部分

此部分为MOSFET VBR(DSS)的限制，最大电压不能超过VBR(DSS) ==>所以在雪崩时，SOA图是没有参考意义的

4. 器件所能够承受的最大的损耗限制，如下图红色线附近部分

上述曲线是怎么来的？这里以图中红线附近的那条线（10us）来分析。

上图中，1处电压、电流分别为：88V, 59A，2处电压、电流分别为：600V, 8.5A。

MOSFET要工作在SOA，即要让MOSFET的结温不超过Tj_max(150℃)，Tj_max=Tc+PD*ZthJC, ZthJC为瞬态热阻

从以上得到的参数可以计算出：

1处的Tj约为：25+88*59*2.4*10^-2=149.6℃

2处的Tj约为：25+600*8.5*2.4*10^-2=147.4℃

如上图红色圈中，横坐标10us对应single pulse曲线的值，也就大概是2.4*10^-2

按照这样理解，那么图中某一曲线中的某两个点对应的电压电流的乘积（等于功耗）应该是相等的，问题是有的规格书中功耗差异还是挺大的。例如英飞凌的IPB020N10N5中的图中10mS的曲线中的两个点4.5A*20V=90W ，另外一点2A*30V=60W

从数学角度来说，这种坐标系下画直线，除非直线穿过10的整数次幂的点，不然乘积不会相等。

具体原因请问您现在搞清楚了吗？

MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃时的SOA，但实际应用中不会刚好就是在Tc=25或者80℃，这时候就得想办法把25℃或者80℃时的SOA转换成实际Tc时的曲线。怎样转换呢？

有兴趣的可以发表一下意见~

把25℃时的SOA转换成100℃时的曲线：

1. 在25℃的SOA上任意取一点，读出VDS, ID,时间等信息

如上图，1处电压、电流分别为：88V, 59A,tp=10us

PD=(Tj_max-Tc)/ZthJC -->此图对应为Tc=25℃ （b）

（a），（b）联立，可以求得ZthJC=(Tj_max-25)/PD=0.024

2. 对于同样的tp的SOA线上，瞬态热阻ZthJC保持不变，Tc=100℃，ZthJC=0.024.

3. 上图中1点电压为88V，Tc=100℃时，PD=(Tj_max-100)/ZthJC=2083

从而可以算出此时最大电流为I=PD/VDS=2083/88=23.67A

4. 同样的方法可以算出电压为600V，Tc=100℃时的最大电流

5. 把电压电流的坐标在图上标出来，可以得到10us的SOA线，同样的方法可以得到其他tp对应的SOA（当然这里得到的SOA还需要结合Tc=100℃时的其他限制条件）

ZthJC/瞬态热阻计算：

1. 当占空比D不在ZthJC曲线中时，怎么计算？

2. 当tp<10us是，怎么计算？

我能传 ,higel试试你OK了嘛？

资料在家里电脑上，晚上回去再试试

这美女是谁？

这个是娜娜姐？

1. 当占空比D不在ZthJC曲线中时：（其中，SthJC(t)是single pulse对应的瞬态热阻）

2. 当tp<10us时：

跟着higel老师学mos

我来做个例子，但是感觉好像不对，望higel老师纠正！

条件100k频率，5us导通时间，电压600v 环境100度 接温150

根据第二张图瞬时热阻z=k*Rth（0.78） 图上看出来是差不多是 z=0.055*0.78=0.0429

pd=（150°-100°）/0.0429=1165.5

I=Pd/600v=1.942a

意思是mos 100度环境温度情况下，100k 频率 5%占空比，电流为2a时，mos已经阵亡了，，，，，，，，，，，，，，，

实际工作时，VDS=600V时，MOSFET已经关闭了，ID=0~

MOSFET VDS同时不为0时就只有MOSFET的开通和关闭的上升/下降沿

还有，100kHz 5us，占空比是50%

是的，电压600v和电流几a，时间还是5us，不知道啥结构才能出现这样的情况，，，，，说着是5us，，其实心里面想的500ns，，，，

就是一个500ns的导通时间，峰值有个13a左右，，，最高电压400v的样子，不知道该选个啥mos，，，

Tj=Tc+PD*ZthJC

参考这个公式去算，Tj<Tj_max，建议取70%~90%Tj_max

最后实际验证下

看了好多篇，还是没有看个明白，，，看楼主是根据他画的时间计算的，但是没画出时间的最大电流值怎么计算？不知道ZthJC，也无法算出PD

例如：比如我要环境100度，电压600v 导通时间5us时 最大电流值，谢谢

我是这么理解的，导通时间和占空比定了瞬态热阻就定了，它只是传热的参数只与持续时间有关，导通时间为1ms，瞬态热阻为0.25K/W（这里单位是开尔文，楼主的公式应该是经过开尔文和摄氏度变换过的），而耐压值定了，导通时间定了，最大结温实际上已经定了（对于同一个管子），计算25°C下的结温和100°C下的最大结温在其他参数不变的情况下是一样的，只是瞬态积温不同，计算最大结温=25+100*5*0.25=150℃，在计算100℃下的最大电流（150-100）/0.25=100*I，此时电流为2A。这里环境温度为100℃也就是说积温只允许50℃，对应的最大电流为2A

感谢lz的无私奉献，学到很多！

这个0.024是怎么计算出来的？

感觉没有办法计算啊

PD=VDS*ID=88*59=5192（a）

PD=(Tj_max-Tc)/ZthJC (b)

(a)与(b) 两式联立，

算不出ZthJC = 0.024啊？

请解释，谢谢！

真是好贴呀！

楼主把你的干货都掏出来！

还有一个很重要的参数：雪崩

这个参数120帖后继续~~

人气很差，给点动力吧

这种串联的方式我用过：IC内部有一个集成的MOS，外面再串一个

这种应用需要VR1,VR2,VR3/ZD1来钳位下面一个MOSFET上的最大VDS电压

EAS：单次雪崩能量，EAR：重复雪崩能量，IAR：重复雪崩电流

上图展开后，如下：

测试电路如下，具体的测试方法我也没接触过，同样需要有知道的朋友分享一下

MOSFET雪崩的产生：

在MOSFET的结构中，实际上是存在一个寄生三极管的，如上图。在MOSFET的设计中也会采取各种措施去让寄生三极管不起作用，如减小P+Body中的横向电阻RB。

正常情况下，流过RB的电流很小，寄生三极管的VBE约等于0，三极管是处在关闭状态。

雪崩发生时，如果流过RB的雪崩电流达到一定的大小，VBE大于三极管VBE的开启电压，寄生三极管开通，这样将会引起MOSFET无法正常关断，从而损坏MOSFET。

因此，MOSFET的雪崩能力主要体现在以下两个方面：

1. 最大雪崩电流 ==>IAR

2. MOSFET的最大结温Tj_max ==>EAS、EAR 雪崩能量引起发热导致的温升

楼主看105楼回复，是不是有前后有点矛盾~请指教！

雪崩是电压的概念，瞬间大电流并不是指雪崩

瞬间大电流是因为I^2*Rds(on)损耗导致温升超过Tj_max损坏MOSFET的

单次雪崩能量计算：

上图是典型的单次雪崩VDS,ID波形，对应的单次雪崩能量为：

雪崩能量的典型测试电路如下：

计算出来EAS后，对比datasheet上的EAS值，若在datasheet的范围内，则可认为是安全的（当然前提是雪崩电流<IAR）

同时，还得注意，EAS随结温的增加是减小的

重复雪崩的计算：

其中，VBR=1.3BVDSS.

计算出来EAR后，对比datasheet上的EAR值，若在datasheet的范围内，则可认为是安全的（此处默认重复雪崩电流<IAR）

同时也得考虑结温的影响

针对不同的拓扑，对MOSFET的参数有什么不同的要求呢？怎么选择适合的MOSFET？

欢迎大家发表意见，看法

1. 反激：

反激由于变压器漏感的存在，MOSFET会存在一定的尖峰，因此反激选择MOSFET时，我们要注意耐压值。通常对于全电压的输入，MOSFET耐压(BVDSS)得选600V以上，一般会选择650V。

若是QR反激，为了提高效率，我们会让MOSFET开通时的谷底电压尽量低，这时需要取稍大一些的反射电压，这样MOSFET的耐压值得选更高，通常会选择800V MOSFET。

2. PFC、双管正激等硬开关：

a) 对于PFC、双管正激等常见硬开关拓扑，MOSFET没有像反激那么高的VDS尖峰，通常MOSFET耐压可以选500V, 600V。

b) 硬开关拓扑MOSFET存在较大的开关损耗，为了降低开关损耗，我们可以选择开关更快的MOSFET。而Qg的大小直接影响到MOSFET的开关速度，选择较小Qg的MOSFET有利于减小硬开关拓扑的开关损耗

3. LLC谐振、移相全桥等软开关拓扑：

LLC、移相全桥等软开关拓扑的软开关是通过谐振，在MOSFET开通前让MOSFET的体二极管提前开通实现的。由于二极管的提前导通，在MOSFET开通时二极管的电流存在一个反向恢复，若反向恢复的时间过长，会导致上下管出现直通，损坏MOSFET。因此在这一类拓扑中，我们需要选择trr，Qrr小，也就是选择带有快恢复特性的体二极管的MOSFET。

4. 防反接，Oring MOSFET

这类用法的作用是将MOSFET作为开关，正常工作时管子一直导通，工作中不会出现较高的频率开关，因此管子基本上无开关损耗，损耗主要是导通损耗。选择这类MOS时，我们应该主要考虑Rds(on)，而不去关心其他参数。

请问楼主，PFC启动电路中，如果用MOSFET替代继电器作为开关，是否可行呢？ 我的模块运行一段时间后，电路中继电器经常粘连，恼火中。

理论上可以的，但我没见过这么用的。可能原因有以下几个吧：

1. 需要提供一个额外的驱动信号来驱动MOSFET

2. 这里的MOSFET S极不是接地，需要浮地驱动，电路复杂成本高

3. 高压MOSFET的Rds(on)会比继电器线圈的内阻大，损耗会大，效率会低

4. 高压MOSFET价格也不便宜

你那里继电器经常坏，是不是质量有问题？

是的，电源质量还有问题，优化中。

继电器粘连的改善，搞了一段时间了，没有找到具体原因，才突发奇想，有病乱投医啊。

采用MOS常开着，一直有损耗，嘿嘿，并且电路复杂很多。

是啊，所以综合考虑下来这种情况还是得用继电器。

还有你这个是不是继电器电流选小了，是不是可以考虑换一个继电器型号

算准确，太难了吧

这个只能算个大概

投票正式开始，投出的每一票都至关重要，最终大奖花落谁家?我们拭目以待...扫描

点击：

该参赛作品编号为NO.14

关于封装的选择，前面我有提到过（第16贴）。

封装：影响我们选择MOSFET的条件有哪些？

a) 功耗跟散热性能 -->比如：体积大的封装相比体积小的封装能够承受更大的损耗；铁封比塑封的散热性能更好

b) 对于高压MOSFET还得考虑爬电距离 -->高压的MOSFET就没有SO-8封装的，因为G/D/S间的爬电距离不够

c) 对于低压MOSFET还得考虑寄生参数 -->引脚会带来额外的寄生电感、电阻，寄生电感往往会影响到驱动信号，寄生电阻会影响到Rds(on)的值

d) 空间/体积 -->对于一些对体积要求严格的电源，贴片MOSFET就显得有优势了

这个我也只是参考一下datasheet中的RthJC, 然后结合一下MOS外壳到散热片，散热片到实际环境的热阻，去大概估算一个RthJA：

RthJA=RthJC+RthCS+RthSA （RthCS为MOS外壳到散热片的热阻，RthSA为散热片到实际环境的热阻）

裸片能够承受多大的损耗这个没有去考虑过，不过一般datasheet上针对不同的封装都有一个最大允许的损耗值，如下：

TO-220F和TO-220加矽胶垫片温升参考，这个从理论上不好分析计算，这个还会跟应用中的散热方式有关（自冷，风冷，水冷等~）。这个可以通过热分析的软件去建模、仿真。

不过在实际的应用中，TO-220F和TO-220有以下区别：

1. TO-220F因为在封装上多一道工艺，价格比同样的TO-220要稍高

2. TO-220封装往往需要配合绝缘片、绝缘粒，带来的安装工艺更复杂，成本会增加

3. 同样的散热片大小、同样的散热方式下，TO-220的散热比TO-220F要好；但TO-220安装过程中的不当会出现绝缘问题，因此对生产工艺要求要高一点

4. 对于有强制散热（风冷、水冷）等应用，推荐使用TO-220

重新整理了一下，整成PDF文档供大家参考。

如果有任何不正确的地方，请大家帮忙指出！！

深入理解MOSFET Datasheet.pdf

下载下来学习

楼主好人啊！

其实，MOSFET上还是有很多参数非常有用，接下来请higel给大家讲讲动态特性方面的参数

期待楼主的精彩讲解

多谢冰版提出这些前面未涉及到的参数，这些参数还是需要好好留意一下的！

今天下班后，我把自己对这些参数的一些了解写出来，欢迎大家一起来提出自己的意见、建议。

抽空更新一下！

32贴中有介绍过Ciss, Coss, Crss，这里再聊一下这几个参数在应用中的作用，怎么去去选择合适参数的MOSFET。

1. Ciss,Ciss= CGD+ CGS。

Qgd, Qgs与Cgd, Cgs成正比（Q=I*t），Qg=Qgs+Qgd+Q*，所以，Ciss越大对应的Qg也就会大。在驱动MOSFET时，同样大的驱动电流，Qg越大，对应的Vgs上升时间越长，换句话说就是Ciss大的MOSFET，需要更大的驱动电流来驱动

2. Coss,Coss= CDS+ CGD

在MOSFET的开关过程中，Coss会带来损耗，损耗为1/2*Coss*Vds^2*fsw，因此在选择MOSFET时，可以选择Coss较小的MOSFET来降低开关损耗（特别有利于提高轻载效率）。但是在移相全桥电路中，为了实现软开关，我们需要利用MOSFET的Cds和外部谐振电感谐振，这时候我们往往又得在MOSFET的DS极并联电容（增大Cds）来提供足够的谐振能量以实现软开关。

上面冰版有提到驱动电路的设计，这里必须得提一下MOSFET驱动电流的估算。

MOSFET的开通和关断的速度与MOSFET的栅极电容的充放电速度有关，他们之前的关系可以表示为：

tr(tf)=Vgs*C/I (tr/tf --驱动上升/下降时间，Vgs --电压，C --栅极电容，I --峰值驱动电流)

Qg=C*Vgs

==> tr(tf)=Q/I

==> I=Q/tr(tf) 这里的tr/tf并不是datasheet中的tr/tf，而是实际应用中Vgs的大概上升/下降时间，因为datasheet中的tr/tf是在特定的条件下测试出来的，一般都不去参考这个值。

实际应用中，由于驱动电阻、驱动电压等影响，实际选择的峰值驱动电流需要比计算出来的驱动电流大一些

以IPP60R190C6为例，假设工作频率为100kHz，上升/下降沿时间大约为100ns

Datasheet中Qg=63nC (typ.)，计算出需要峰值电流为：

I=63nC/100ns=0.63A

实际应用中，MOSFET驱动电路中会加驱动电阻，也有走线引入的电阻、电感，实际驱动器的峰值电流可以选择1A~2A。

请教一下MOSFET的损耗如何计算？

目前了解到损耗包括;开通损耗，关断损耗，导通损耗

导通损耗时的电流是去上升阶段（MOSFET导通）的电流值还是整个周期的电流值?请指教！

MOSFET的损耗计算有简易的计算，也有详细的计算

详细的估计要计算个3-4页左右，很复杂

看看楼主有没有好一点的计算方法给大家分享一下

导通损耗计算周期内流过MOSFET的电流有效值

绝对好贴，基础！

授人以鱼不如授人以渔，俺会继续等待的。。。。。。

其实现在国内的coolmos做的也挺好的，支持国产

支持国货，不过国产器件的耐压和电流裕量要是能和国外大厂看齐就更好了

锐俊，低压大电流MOS有优势。

后羿半导体也还好。

无锡新洁能，批量生产高中低压mosfet，cool－mos等

需要样品可联系

场管的VBR(DSS)是200v，请问如果在场管导通时，负载短路了，这个场管能扛得住3.5ms吗？此电压是不是会全部降落到场管，而R51处的电压很低呢？

规格书中的VGS(th)才是MOS的开启电压啊，实际电路中，主ic出来的驱动电压一般至少需要有典型值（Type）的3倍，

才可确保管子完全导通。

VGS是管子栅极和源极之间可以承受的最大的电压，通常是+/- 20V,或+/- 30V

我是无锡新洁能功率MOSFET的FAE

学习一下啊

正有需要，多谢指导

谢谢分享

学习下

对MOSFET规格书/datasheet的理解我来学习的

好贴，期待！

顶

看看你在讲什么

学习了

学习一下，

好帖

higel:

您好。谢谢您在帖子里面为大家解惑，给您点个赞。

我也有个疑惑的地方，如下图1所述：

另外，我先请教一下下图2中漏源导通阻抗是怎么算出来的？

大电流电感

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