做一个升压Boost电路,24V转36V,效率要求95%以上,使用基本电路,IRF540 mos管,SR5100二极管,电感400uH线圈电感,效率一直只有80%多,希望提高效率,还请大牛指导,/合掌/合掌/合掌 ,另外尝试将二极管换做IRF540做同步整流,效率更低了,不解。 。 满意回复 +4aerwa 查看完整内容还是用dcdc芯片做吧,用基本电路做要考虑的东西很多。 电感量要和频率匹配到最佳点才是最大效率的时候,还有mos的开关损耗。 用基本电路做到85%效率已经正常了。 参 ... +2戈卫东 查看完整内容可能有反向电流,损耗增加了。 +2flame123 查看完整内容功率小还是用DCDC芯片,这玩意电感和PCB布线都很有关系,电感没设计好,问题很多。 +2micro1982 查看完整内容电感量加大点,做同步的时候注意死区时间的控制 2110提供PWM波同步整流 上端MOS管使用2104反相端,下端MOS管同相端,效率比用SR5110都低,为什么呢在线等可能有反向电流,损耗增加了。
干货 | 电源工程师设计全攻略本文搜罗了稳压电源、DCDC 转换电源、开关电源、充电电路、恒流源相关的经典电路资料,为工程师提供最新鲜的电路图参考资料。一、稳压电源1、3~25V 电压可调稳压电路图此稳压 功率MOSFET选型第一步:P管,还是N管?功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。 下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。 1、N沟通和P沟道功率MOSFET结构图1列出这二种沟道功率MOSFET的结构,都是沟槽型Trench结构。 从结构上来看,衬底都是漏极D,但半导体的类型不同:N沟道的漏极是N型半导体,P沟道的漏极是P型半导体。 当N沟道的功率MOSFET的G极、S极加上正向电压后,在G极的下面的P型体区,就会形成 关于参考电源的方案设计需求:需要设计4路传感器采集电路,精度要求很高,测试量程为0-100ppm,测试精度为0.01ppm;测试的灵敏度在nA/PPM等级。 4路传感器采用独立的4路模拟前端,每一路需要精度比较高的2.5V、2.25V参考电源。 对参考电源,需要从TI的REF5025或者INTESIL的ISL21009B中选择一款,参考设计给出的是ISL21009B, 但看手册发现TI的热5025精度指标更高。 除了4路采集传感器外,还有8路的ADC,也需要高精度的参考电源2.5V。 到底参考电源怎么设计,这几天为这个方案搞得
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