 图1：Everspin MRAM封装的X光图片 MTJ结构被整合到另一个典型CMOS积体电路的互连部份。在写入过程中，选定的MTJ会置于所选择的写入字线和选定的位元线之间。当电流经过所选的字线和位元写入线，便会在这些线的周围建立磁场。而在选定MTJ的上磁场向量总和必须足够切换状态。不过，沿着选定的字线或位元写入线产生的磁场也必须足够小，以确保不会切换到俗称的“半选”（half selected ） MTJ状态。所谓半选状态仅作用在所选择的字线与位元写入线周围。
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1、强磁场对开关电源的影响是什么呢？
2、怎么处理强磁场对开关电源的影响呢？（除了屏蔽的方法）
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