求问在座的各位大神，何如测半桥IGBT上下管的死区时间，按图这样测不可以吗？为什么按图这样测的时候，驱动波形有死区，但是从IGBT上测就会把死区吃掉呢？是因为分压电容的作用嘛？求大神解惑。 a0fcceb99e3d16c25c6d9ed5fb49274.png(17.45 KB, 下载次数: 0)下载附件2020-10-15 20:54 上传  A、B接示波器表笔 关注中。
不是吃掉了，而是你的AB根本就是一个波形，A=Vin-B（假设Vin是稳定的）意思1：A根本不用测，意思2：测B就知道A，意思3：两个波形是一样（互补、反相）的。
任何桥式拓扑都是如此，逆变也能不例外，也无论死区有多大，即使没有死区也是如此。 意思4：这种方法测不出死区，你在伯努利意思5：在拓扑层面测量死区要用另外的手段，比如以临界电流为判据
首先感谢版主的回复，关于您的回复还是有点不太理解，单管在导通和关闭的时候Vce发生变化，单管上的电压从V1变化到V2的时间不就是开关管开通和关断的时间吗？即死区时间还有就是不是把死区吃了，那为什么母线电压稍微一高，就会触发过流igbt保护，过流不就是双管同时导通吗，但是在软件驱动波形死区时间给的是6μs,那这个时间去哪了？
理论上母线电压不变，原理是输入电容电压不能突变，你不能假设它会变，你能指望的是下管Vds波形呈阶梯状，此时上管Vds波形也呈相反的阶梯状，二者阶梯是重复的，阶梯平台就是死区。
那版主麻烦您看看我这样分析可以吗？因为刚接触这方面不是很懂，请见谅！我们的母线电压是通过调压器线性加上去的，现在就固定母线电压100V不变，当上管导通时的Vce就是管子的压降对吧，当上管关闭的时候，Vce不就是母线电压的一半吗？在这个变化的过程中，肯定会有延迟变化的时间，那这个时间不就是对应的管子开通关闭的延迟时间吗？
1、母线通过调压器线性加上去的，还不够，还要就近有个滤波电容。
2、上下管同时关闭的那一段短暂的时间间隔（死区）内，Vce原则上就是母线电压的一半，或者在一半附近维持一个品台或者谐振。
这个从调压器出来加了滤波电容，给母线的电压基本是稳定的，若不是死区问题，那为什么IGBT一直过流；请问一下像这种情况如何解决，那按什么方法知道IGBT是有死区的？期待您的回复
你要先完善拓扑，比如，你把负载画成一个电阻，你就真的用电阻，就能看见死区。
意思是：如果负载是LC，就可能看不见死区，为什么看不见，因为拓扑不完整。
电路都是接的完整的，逆变出来直接接的电阻，就是个拓扑图一样，但是出来的波形就是图上的那种
直接接电阻是可以的，工频方波，也算逆变，这样的低频逆变，死区就看不见了。
忘了跟您声明，我们的逆变频率是20KHz，是因为高频的缘故吗？
多路充电电路之间要隔离吗？设计一款adaptor，给3路锂电池充电，功率60W，想前级flyback，后级三路buck。因为buck是不隔离电路，这样三路负载岂不就不隔离了，这样行不？ 最佳答案 请教大家一个关于半桥驱动电路的问题
这是IR2104 DATASHEET上提供的典型连接
这是我看见的另一个接线版本，请问多出来的这些二极管是干什么用的？？
还有，如果驱动电机，使用IR的半桥驱动芯片还 如何测IGBT上下管的死区？求问在座的各位大神，何如测半桥IGBT上下管的死区时间，按图这样测不可以吗？为什么按图这样测的时候，驱动波形有死区，但是从IGBT上测就会把死区吃掉呢？是因为分压电容的作用嘛？求大神
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