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基于EPM1240的SDRAM控制器的设计

时间:2015-01-20  来源:扁平线圈电感厂家  点击:

地址发生器的输入输出如下:
f.jpg
clk是系统的主时钟输入,addr是输入的一体电感器地址信号,pr_state是输入的当前状态,这3个信号均由微控制器提供。地址发生器接收来自微控制器的命令,把命令转换成SDRAM能够理解的状态信号,地址发生器根据状态信号产生相应的地址选择SDRAM的行或列进行操作。

3 系统的设计与实现
选择ALTERA公司MAXⅡ系列的EPM1240芯片,用CPLD方式实现SDRAM接口。接口仿真时序图如图5所示。

g.jpg


SDRAM接口仿真波形图如图5所示,其中sd_clk_97为操作SDRAM的时钟,sd_cke_98,sd_csn_99,s电感器生产厂家d_casn_103,sd_rasn_105,sd_wen_106分别为时钟使能信号,片选信号,列选通信号,行选通信号和读写使能信号。sd_ba是SDRAM的2位Bank地址线,sd_a_是SDRAM的13根地址线。data为SDRAM的16位输入/输出双向数据线。

4 结论
在SDRAM的接口设计中,刷新塑封电感的实现一直是一个关键问题。选用CPLD产生控制SDRAM的时序,实现对SDRAM的各种操作。应用Verilog语言和QuartusⅡ软件实现了SDRAM的接口设计,在QuartusⅡ软件环境下模拟了STM32系列单片机对S电感器是什么DRAM工字电感的读写操作时序,读写速度达到100MHz,可以在STM32系列单片机扩展64 MBit的SDRAM,其中SDRAM的地址线为13根(行地址线13根,列地址线9根),Bank地址线2根,数据线16根。

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求解为何我的全桥升压电路的变压器在空载时原边 输出功率在500W时,全桥升压电路变压器的原、副边波形如下(由于空载也是这形状,但是振荡幅度没这么大)


原边,输入是24V(振荡幅度很大,波谷都快接近0V了)








副边,

全桥变换后变压器副边侧输出波形有问题



上图波形是全桥变换中变压器副边侧的波形,明显看出其中死区时间段的电平有上移和下移的问题,不是标准的零电平,因此想请教下大家该怎么解决。这个全桥变换的驱动用

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