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LLC炸机,求大神入住

时间:2018-04-19  来源:扁平线圈电感厂家  点击:
最近在做三款TV电源,PFC+FLYBACK+LLC,送样和EMI测试都很顺利,现在试产老化炸机,真是日了狗了,现在功率最大的一款炸LLC的MOS,波形什么的都很正常,话不多说,上图片,我用的LED的IC是UCC25710,求大神解读。

85D上管电流

85D上下管DS电压谐振电流电压

85D上下管驱动谐振电流电压

85D下管电流

我用的IC是次级IC,通过隔离驱动变压器驱动初级MOS,MOS用的是吉林华微的JCS5N50,明天上原理图,工作频率75K。

散热设计不理想+铁芯居里参数低。

温升50都不到呢,应该不是温度高的原因。

1.失效率多少?2.有没有排除人为的加大功率测试?3.有没有做过了ESD等测试?4.器件两端的峰峰值电压是多少?5.到拆机更换的状况:不良品解剖下来连接的铝线是否有问题?可能性很大! 5.PFC回路中的二极管是否有软恢复功能? 仅供参考!

次级驱动的LLC,有个问题就是不能检测初级的峰值电流,,

在瞬间短路和过载都会发生问题,,,不知道你这个能不能做到这点

这个IC有一个CS脚可以检测到异常状况,我测过了短路,开路瞬间,上下管MOS的电流波形,谐振电容电流电压波形,几乎看不到电流尖峰,和电压尖峰。

你有没有开示波器PK模式在上电时刻测MOS的电流~~

看过了 几乎没有尖峰哦。

如果这是满载MOS电流波形的话,看情形都还没进入zvs区,硬开关过热炸鸡了吧

上个Ug-s波形看看 第三张图就有上下管驱动波形,死区时间520NS。 这确实是满载输出波形。你是怎么看出没有工作在ZVS

都没看到励磁电流

帅哥 不懂装懂 一世饭桶 所以你感觉是哪出了问题 满载不是工作在谐振点(由漏感和谐振电容决定的谐振点),而是大于谐振点。

借用斜阳古道大侠的资料,你的情形属于开关频率大于谐振频率,但离得太远

无标题1

一个实际案例

20150211_114159

还是让我来回答这个技术问题吧,你的谐振参数没有选择好,是电容偏大电感偏小了,所以,是陡电流下降的,应当满载接近正弦波电流,这个参数的问题是什么呢,如果频率一高,调制占空比,就会产生非常大的电流硬关断了,这个时候本身不大安全,管子如何损坏的呢,本身什么温度太高,其实,温度并不高就有可能损坏了,这个是由于有产生米勒电容效应,导致上下两个管共态导通引起的,其实,只是严重情况下,一定的客观条件了,如果负载变化大,温度一高,以及环路不是那么稳定,危险增大了,所以要损坏了。

我以前做llc多谐振是有一些经验的,其实,米勒效应是由于DU/DT,DI/DT 大,通过DG负反馈产生了G的电位抖动误导通,轻一些不会,重一点就可能损坏了。解决的办法是,1,谐振参数选对,增大谐振电感,减小谐振电容,2,驱动上缓下陡,导通慢一点,关断快一点,为什么呢,就是慢一点导通,米勒电容效应的共态导通的电流小了一些,不会那么大,如果发生也不会严重发生爆管现象了,2,电感大电容小了一些,关断的电流比较小了,自然DI/DT小了,3,频率变化不会那么大了,比较正弦波一些【满载额定电压,】,人家也分析了一半了,我补充比较完善一些。明天再补充一点。

楼主的驱动波形都没显示有米勒效应

如果实现了ZVS,驱动都没有米勒平台 是的,实现0压导通是没有平台,不知道最上面和下面的两个刀状的波形应该是电流波形吧,这个硬关断了。什么情况下容易爆管的呢,调频死区时间始终非常短,一旦占空比调制,大电流关断,如果环路不是那么稳定,就有可能出现,重要的是,这里明显的LLC选择参数不合理,就是谐振电感小谐振电容大,应当调整一下。以前我做LLC多谐振的是用3525做的,就是两倍频率调频,两倍到三倍调调频与占空比同时进行,到三倍为0 了。不知道你的用什么芯片做的LLC电源。 他这个LLC做不到零电流关断,这是多谐振的,不是你那个准谐振的,

这个方案用的是UCC25710 是TI的恩,这两个波形是上下管的电流波形。我现在感量是1.2MH,漏感265UH,谐振电容是333 。增益大概在0.9,可否说下你的理想参数参考下呵呵,我之前有5款机型用的是SG3525做的TV的背光,LED短路时候谐振MOS的电流尖峰有点大哦,弄了很久都没有搞下来,但是已经量产了很多,也没有出什么问题,这个IC比SG3525好用多了。

你对LLC不懂可以试用一下日本新电源的IC。FAE技术好牛的。保证你不会出这问题。新电源的PFC+LLC是集成一个IC的。

仔细说说 帅哥 不懂装懂 一世饭桶 有的,只是没有展开而已 谢谢你的分析哦,我好好看看,说实话,有些真的不太理解我去年毕业的,今年刚好工作一年,经验欠缺。 好好干加油!

在一帖子“LLC波形怎么不干净”中 脸打的不响吗?

你还真能说,一套一套的。你对LLC了解很深吗?

UCC25710我2年前就做过了,量产机种超过200K,也没有你这么牛B的口吻。

技术需要务实,别一开口就把自己当成高手,在一帮菜鸟面前,人家会崇拜你 ,应为他们也不懂 在领的清的人 面前 感觉你很LOW

好久没有上电源网了,一上来 就看你 到处JJWW的 实在看不下去了 个人 提醒你 还是务实点好。说一大推自己都不懂的东西 还不如自己 学习学习。

没必要这样吧,对一些技术上的心得体会,无论对错,说出来总比烂在心里强。

他说的 你听懂了吗?

技术是瞎JJWW 能提高吗?

你自己喜欢听 那就听吧。每个人都言论自由,我只是 不喜欢他的那种说话方式。可能是见的太多了,或则自己以前也是这样,所以只是建议他技术是需要 务实点。

瞎JJWW的说一大堆一套一套的 还不烂在心里,别误人子弟。

别说那么多了,我也是因为一次版主误导别人,我把技术贴拿出来,他不服,后攻击我,我也用你同样口气叫他不要误人子弟,结果关了我快三年,要不是我申请了二年多,最后电源那个女编辑给我解禁,我可能也没法再次在这里发话。 电源网让人心寒啦!!!!!!

这里是大家交流分享经验的地方,每个人的知识面不可能100%全面,难免有失偏颇,不足的地方可以指出大家共同探讨。

谐振点54K,工作频率75K

电流波形都是正常的

我怀疑,你的过流动态保护有问题

如果是半桥,采用 zhangyiping 旅长 推荐的 二极管嵌位 是比较好的

这样在控制方面就不用操心了

保护应该没什么问题,这几天也没有找出什么原因来,今天返工,直接换9N50上,出货急啊。接下俩慢慢分析。也不排除是材料不良,毕竟有4款机,唯独一款炸MOS,有一款都量产差不多2000台了,没有不良。对比过了参数基本差不多。

不妨谈谈你的保护思路

我的教训是,即使进行过 24小时,不停的短路实验

也不能说保护过关了?

好热闹,设成关注咯 领导,为什么上传不了图片呢?

这个IC有个计算公式。LED电流等于基准电压除以设定电流的电阻。设定电流的电阻被两个串联的二极管对地并联。短路瞬间,电阻两端电压被瞬间钳为在两个二极管的压降差不多1.2V的样子。IC基准脚的电压比较小,实测是0.64V。那么短路的时候,IC能检测到异常,就会自锁,不发驱动了。实现保护。明天可以上个图给你们看看。

我感觉,你的管子是由于 过电流 烧坏

你的电路,正常工作,风平浪静,是没有问题的。

问题会出在:

1 开关机瞬间

2 突然短路瞬间

确认方法:

用电流互感器,观察谐振电感电流,

用示波器,长余辉(一直保持,不消失),

在电源开关机瞬间 和 短路瞬间

电流所冲到的最大值

你在次级驱动,怎么检测CS呢,能上个图不

这个IC有个计算公式。LED电流等于基准电压除以设定电流的电阻。设定电流的电阻被两个串联的二极管对地并联。短路瞬间,电阻两端电压被瞬间钳为在两个二极管的压降差不多1.2V的样子。IC基准脚的电压比较小,实测是0.64V。那么短路的时候,IC能检测到异常,就会自锁,不发驱动了。实现保护。明天可以上个图给你们看看。

晕死,为什么不能上传照片了,电路图上传不了,求解释

好了

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IMG_20150806_224059

不太情绪啊,能不能截屏? 不太清楚 图上来了哦~ 帮你把帖子设置成了问题,等问题结束了,对你帮助最大的回复是哪个,设置成“最佳回复”吧。 已经被添加到社区经典图库喽
http://www.shenghan.net 扁平线电感bbs/classic/

你上面的参数,两个电感的比值265/1200是4,5倍多了,LLC的一般是3倍左右,为什么呢,倍数多的话的频率变化范围是比较大的,偏离谐振频率更多的话,就是你上面的显示的那种刀状的电流波形了。不知道你的额定输出功率是多少,因为,这个涉及品质因数的问题,这个要合理。

我是习惯用3525的,太熟悉了,也比较灵活,抗干扰能力强,估计很多人的撒这么做的,新的芯片往往不熟,6599的没有占空比可调的,如果有PFC的问题不大,往往没有PFC的,这样就间歇振荡纹波大,有冲击,不均匀了,而3525 的可以形成2倍频率开始一边变频率一边变脉宽,到了3倍的时候,占空比就到了0 了,非常好控制,而且稳定。LLC的三倍变化范围就是LLC两个了的倍数是3 了,如果你这里的4.5倍频率的变化范围是4.5倍了,比如,谐振频率是55千赫,最高频率应当是248,千赫,3525是不允许工作在这么高频率的,会发热严重的。如果3倍是165千赫,最高就没有问题了,是不是。LLC有很多学问,这个也就是为什么目前还有非常多的人搞不懂,就是这个技术的理解比较有难度,要多多实践,这样可以增强理解了。

点赞 棒!

他们这种基本都带PFC的,前面的大电解电压,基本在390V左右的,,,

这样频率也不会跑很偏,,

再说了你前面说的电感要取大,电容要小,你要是用3525吧电感取大了,不是Lm/Lr的值会偏离3了吗,,

确实 ,PFC电压就是设定在390V 有关品质因数多少,存在方向的问题,这里4.5倍是电容大电感小了,电感大电容小了是降低倍数了,即3倍左右,是这样的,剧我华为的老同事说,华为的有PFC,这个值是多少呢,就是3,5或3,7左右,客观上容易理解差不多是这样的倍数,实际上比较靠谱了。 旅长说的有道理

我知道了,你是把谐振电感做大,就是LR变大,,,

搜嘎 满载输出功率145V*480MA*2差不多140W。现在用的磁芯估骨架是EFD35,双槽。明后天有空的话去把电感比值改成3倍看看变化。谢谢你这么耐心的解释哦 做LLC怎么用3525实现呢?3525不是调节占空比么?LLC应该是调节频率吧!能否告知一下,也是刚毕业的学生,没做过LLC,想做一个试一试。。 力求解说,在大功率逆变中应用行吗?

只要内部振荡器是VCO或者CCO类型且能编程频率就能通过环路来操控频率(事实上绝大多数电源IC的振荡器都是这2种类型,除了极少数基于555这种一个振荡周期定时元件需要双向充放电光耦没办法控制,但这种架构也是可以转换成VCO比如像IR2153),学生哥应该用CD4046这类芯片来架构LLC那才有意思

变频,这个非常容易做到的,不是那么死板,专门,实际上,变脉宽的一概也成了变频LLC的用途了,就是如3846,494,3525,3825,移相的3895都做成了LLC变频的,就是3845也可以,只要RT决定频率一个重要参数,只要把电平太高频率就变低了,如3525,这个电平与9脚恰当的二极管拉动,如频率低是9的电平也一样提高了,占空比高,如果电平低时,9脚也低了,占空比小了,直到为0了,这个恰当的可以2倍完全变频,2倍以上变频变脉宽同时进行,到3倍是占空比0 了,这个大量这么做的,如明维电源,我当年是他们仿通合的3846,由于再做奇怪就是与原机相比占空比小了一些,我当年灵活一些 ,就改用3525的死区时间可以控制的,而且这个芯片稳定,不仅是我,非常普遍这么做的,人家也是五花八门,不是6599等一定专门芯片,没那么死板的,灵活一些比较好,而不是生搬硬套,当年我在科陆公司做的全是3525的,我在03年就设计这个芯片了,因为,我国首家的是通合01年LLC就是的产品,就是3846的,我03年在一家公司,仿做就是占空比提不高,所以在03年秋我改用了3525的,效果不错,知道吗。

个恰当的可以2倍完全变频,2倍以上变频变脉宽同时进行,到3倍是占空比0 了占空比变成O,不是就没有驱动输出了吗,电源是不是也就关掉了,,,

旅长大人,问你个事情,最近在调试一款电源,用6599做的,谐振出12V5A,另外一组是出80V,然后boost升压输出背光。背光不开,12V带0.25A进入打嗝模式,0.35A从打嗝模式出来,此时打嗝频率有160K,谐振mos没有散热片,打嗝模式的时候,mos管很烫,其实这也不是什么大问题,毕竟TV的时序决定了这中情况是不存在,但是我想问的是,这个打嗝模式调试的是否合理?变压器满载时候工作频率81K,其中一个谐振点算出来是87K,谐振电容电流波形是完全接近正弦波,开关频率比87K要小,这应该没什么问题吧?

拿PIOUT串联个二极管再串联个电阻(电阻大小来确定最大最小频率)对CT电容充电放电就可以实现调频。 恩 张工对经典IC的利用发挥的淋漓尽致,能分享一下原理图吗? 说到这里,给长虹ODM的电源商都在这里发表严重事宜,消费者都不敢买长虹产品!

问题解决了就没事做产品的不怕遇到问题。

回复55帖,据说6599的是没有独立调节占空比的,不像一些芯片功能可以调占空比,这样必然要间歇震荡,即打嗝,电流大一些事就连续了。这个6599是配pfc的6562的建立恒定电压的,如果没有的话,只能是这样方式的。打嗝的管子烫,因为硬关断,而且容性开通频率又比较高,所以就会发热了,打嗝的存在纹波,后面你提到的满载频率81千赫,计算谐振频率是87千赫,当完全正弦波的电流比87千赫要小,没有问题。因为,你的计算是串联电感的频率,llc两个l,其中一个是并联的,这个被忽略了,实际上的电感更大一点,那么频率更低一些了,这个就是你所看到的。大载增加的电感小,轻载增加的电感大了一点,你一定看到谐振频率反而更低了,一定是这个结果。你的只有一个串联的电感,其实要大了一点,就是显示的频率低了一些了。

有这种现象,就是轻载时正弦波是上升快下降慢了一些,有点像刀状,而满载几乎一样了,许多人不知道为什么,就是这个缘由。所以,轻载频率低了一些满载高了一些,这个就是受并联电感叠加的影响了。所以,比计算的频率低了一些的由来了。

补充一下,也许一些人看到上缓下陡的近正弦波,是这样的,这个是大于谐振频率的条件下,但等于或低于一些谐振频率的电流就不是这样的,并联电感是会产生环流的,这个要泄放这个励磁的能量的,因为电流小了,所以时间也长了一些了,所以电流的下降缓了一些了,就是这样的。

嗯啊 很认同你的看法,现在的用6599的增益是1.07,这个时候满载频率比其中一个谐振点低一些,但是靠近次谐振点,电流波形很接近正弦波。上次炸机的那一款,增益是0.9左右,工作频率(75K)比谐振频率(54K)高,而且离得比较远,电流波形看起来上升比较缓,下降陡,像刀口一样,如帖子图所示。我听之前的同事说,这种单独用谐振出背光的,必须这样,工作频率和谐振频率必须离远点,不然背光输出就不恒流。

这话说的好,精益求精才有好产品

能否详细说明一下是上面时候坏的?比如开关机,老化,短路等状态。。。

老化的时候哦,但是老化的过程中,老化房会有开关机的动作。

1.注意老化是的环温,再有LLC轻载点温看看,会不会是老化轻载温度过高(磁损与开关损耗高频会大。

2.开关机实验做一下,看有没有直通或谐振感饱和的迹象。。。

老化房开了循环风扇,温度不高,都是带的最大载荷老化,因为我的谐振只做一路输出,就是一组背光,所以不存在轻载的问题哦,我有给变压器加温,没有发现什么波形异常。

第2个图片,有两个Vds之间的细节波形不?

可能有直通,直通原因可能是体二极管的反向恢复造成的

上面61贴的一点道理,你说的老化房里开关动作就发生问题,太脆弱可靠性太低了吗,我的搞准谐振的连保护电路彻底去除,说明非常可靠。

我看是这样的,可能你的环路非常不稳定,没有调好,这个产生了峰值,我必须说一下,管子当年我的经历发现,如果管子没有并联电容,就有声音,说明不稳定了,但这个并联了电容,会产生容性开通,频率比较高时【非常的轻载】管子会发热,所以llc如果没有处理好,也不是那么稳定和可靠,这个就是为什么你损坏了,并联电容不过就是降低了DU/DT,如果发生了高电压开通【不是0电压】,驱动比较快,谐波电流严重,管子内部产生米勒效应产生共态导通从而损坏了,因为,米勒效应是非常普遍出现的,大多数损坏就是这个引起的,尤其环路不稳定是出现的多。

我采用的是另一种llc,就是通常的llc是多谐振,还有准谐振llc的,这个一概不并联电容,可靠性不错,效果更好,频率变化逻辑是反了过来。

你的半桥二极管保护最靠谱,

同时也是你准谐振反向操作的精髓所在,很妙

讨论故障原因非常有意思,也看水平了,就是好像医生看病一样,医术高的诊断正确,病人就不会吃错药了,现实上非常多的人吃错药了,那么,吃再多的药也是没有用的。所以,老医师吃香,往大医院,小医院冷清就是这样做成的,就是不放心了。

技术这东西,工师与医师,高明的可以少走很多弯路,而看帖子也是学习的机会,人家遇到的问题也许往往你也会遇到的,如果看工具书完全理论的东西,没有实际遇到的问题,没有实践的东西,帖子不同,还可以问呢,可以大家讨论分析,学习的效果好。

如果是过电流的话,那一定会发热的,真正高温坏掉可以看到管子热痕迹的。首先,环路不稳是经常遇到的,普遍的。可以误触动了,产生共太导通就坏了。因为,这个你不会一直示波器看,老化就没有看到损坏过程了,一时说不清楚,但可以分析的。其实,多数的损坏就是环路不稳造成的。为什么有的产品非常可靠,同样的产品一些就非常不可靠了呢,就是出在环路问题上非常突出了,比如,抄袭模仿,怎么就与原来的不一样了,就是环境,参数,环路变了,还原封不动,所以你的损坏了,人家的没有坏,如何解释。还有,其实抄板非常普遍,老外的非常多却模仿没有做成,就是成了也不三不四,可靠性低,这个又是为什么呢,是一个非常有意思的话题,因为,非常平常,遇到的太多了。其实,那一些抄袭老外的非常诡秘,大多数是失败的,所以,学问也非常重要,小功率简单一些,但大功率照葫芦画瓢的成功率是非常低的。做成的技术的功底也比较强了。就是这样的。

我当时也展开波形看过,没有发现有很明显的死区时间,确实是有直通的嫌疑,但是我拿之前做过的一款量产过的机种,也是这样的波形。所以觉得应该没有问题,毕竟我看驱动波形之间是有死区时间的。如果真是这个问题的导致炸机的话,那就是MOS管体二极管的反向回复时间太长了。 **此帖已被管理员删除** 行家来了!

恭请美女行家

张工好人啊!如果初学者遇到这样的恩师真是三生有幸

上午做事情,没有看,不知道77帖删除的是什么内容,在站内信里回复。

有一些不明白了,才一百多瓦,小功率的容易多了,竟然还出现问题。如果大功率呢,难度大多了。也许哪个地方有误,或者也有可能,6599的芯片说不定,许多吗-有罪推定。照理说不应当出现这样的问题,坏掉的更多是环路不稳定造成的。这个要特别留意。仔细检查,是不是哪个环节有诶。

另外,用3525的也非常可靠,不少人采用这个做法,就说吧,6599的最大功率才做到1000多瓦,就说深圳科陆公司12000瓦的采用3525,功率再大的超过6万瓦,没有听说6599那么大功率的呀。也可以说3525的更可靠,明纬电源早就采用3525的芯片,可以做到两倍频率完全变频,两倍频率到三倍频率是变频变脉宽同时,直到三倍的占空比0了,这个效果也非常不错,而且,功率非常大也是这个芯片做的,6599没听说功率可以做到非常大的吧。

仔细检查一下再说吧。

我听说6599确实有不良品,不少人遇到,换了之后问题就解决了,像3525,494都有,有人为此也搞得莫名其妙的,其实,有的也就是这么简单,所以,上面的有罪推定,还是有一些道理的。 张工讲的透彻呀 不敢 这个LLC电源的波形看上去,基本算是正常的。 . 哇

看一下Tf是VDS的上升时间,如果给DS并接电容,会使这个时间更长,,

DS并电容,时间增长的是tc,不是tf,当然,不管是tc或tf,只要增加后,桥臂中点的上升或下降时间都增长的。你理解的“会使这个时间更长”,应该是指桥臂中点的上升下降时间吧?

你好,MOS管的温升在40度左右,散热片用的型材,其中上下管的DS都并联了220P的电容。调试的时候遇到这么个情况,当取消DS脚的电容后,温度上升的很厉害,现在听你这么一说好像明白了点什么

其实,llc不是0电流关断,而是比较大的电流关断的,一旦并联电容式,其实,改变了电流下降的轨迹的曲线,一部分关断损耗转移到电容上去了,好像是被偷走了一样,温度也降低了一些了,但如果一旦失去了0电压的开通条件,非0电压容性开通的损耗能量是,W=1/2*2*CUUF,这个电容增大的相应损耗也增大了,所以,一是可以降低损耗,但另一方面是增大了损耗了【在非0压条件下,】电容并联有一定的好处,就是电压上升嚧降低了,即DU/DT变小了,比较不容易产生米勒效应,可一定程度上的抑制共态导通的现象,如果没有的话,往往有不那么稳定的现象,这个弄不好就要爆管了,所以,并联电容确实是有一定道理的。 张工,DS脚加个电容可以理解为把部分关段损耗转移到开通损耗上面去了吗(不知道可不可以这样理解)

张工说的,加了电容将部分损耗转移到开通损耗上面去了,他这句话的前面是有一个条件的,那就是他的原话:“一旦失去0电压的开通条件”。所以,他说的应该是没错的。

但在LLC电路中,张工说的这个条件是不成立。

.

有没有可能电容小了,死区时间大了,该电容被反充电,,,造成烧毁MOS,

还有种可能就是电容没有被反充,而是体二级管的耐电流的规格小了,把MOS的体二极管先坏掉了,,,

5、根据变压器的空载励磁电流,结合母线电压、最高工作频率的半周期时间,再算出变压器的原边电感量。

是算出谐振电感值吧 ?(一般有两个电感值 ,谐振电感LR ,变压器原边电感LP ,你这里是指LR吧 ?)

这里指的是LP电感值。 谢谢恢复,下午想明白了,在死区时间段是这个LP参与谐振,也是这个谐振电流来给MOS管Cds充电的。 DS并联了220P电容,tc现在算出来是166.4ns,

并了220p电容后,tc=166.4ns,我核了一下,算得很对。

但仍比tf的270ns小,如果管子手册里的tf值是准确的,那仍可以再并电容,管子的温升应该还可以再降低的。

如果再增大的话,岂不会出现你上面说的“还有一种情况更糟,那就是tc<tf,但又接近tf的时候”

你的疑问是对的,我这句话写的时候,考虑得不够严谨,后来看到,也觉得不对。

本想蒙蒙过关的,没想到被你看出来了,看来做技术必须严谨再严谨。

纠正一下,更糟的情况应该是,在tc<tf时,栅极驱动信号的下降沿时间又大于tf。

大家在看的时候,或请直接忽略掉。

电源网里能人多! 呵呵,张工好像在下面已经解释清楚了,没来得及看。 这垃圾管子。。。

你好,问题应该算是解决了,把MOS的关断电阻由之前的33R改为10R,现在量产了很多没有出现问题,谢谢你的解答。

请教计算tc的公式的原型?是不是根据C=Q/U得来的,如果是,系数2是怎样产生的?谢了先。

高手过招啊,收藏学习。 其实,开关管并联的电容越大,损耗是越小,但不是尽可能大,再大了一些恐怕就不大行了,要权衡,考虑开通,因为,频率低一些是可以,因为,这时的励磁电流不仅大,绰绰有余,但频率不是不变的,变高一些,如2倍以上,搞变频变脉宽就死区时间增大了,变高了,励磁的电流是谐振频率的一半了,根据W=1/2LII>=1/2*CUU,所以是平方的关系,减小了4倍,如果频率再高,励磁电流更小,死区时间又大,那么,就压迫失去了0电压的开通条件了,由于W=CUUF,电压越高的平方就越大,频率高了正比关系,那么,电容就是乘积的关系了,所以,要全面考虑问题,适当就行了,并联一定电容有一些必要,但不可以太大,【尽管低频率下的损耗小了,但频率高了,这个问题就凸显了,就是损耗大【容性】,你什么的数值差不多,再大低频率重载条件下还可以减小损耗,但轻载频率高了就是反作用了,会产生一些问题,就是非0电压开通产生的损耗 问题,所以,这个是一个矛与盾,这个就是取中间了,所以,没有不大行,但太大了也不大妥当了,存在利弊作权衡了。差不多就行了。

没有人会将开关管的DS并联电容取得很大,那到底取多少值呢,从LLC的原理上得知,应该是刚刚使tc>tf就可以,但tc、tf是很难直接测量出来的,通常先计算个大概的,然后就用间接的判断方法,那就是看开关管的温度来判断最后是否合适。

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张工仍多次提到非0电压开通开关管的弊端。问一下,你之前做的LLC电源,会存在非0电压开通开关管的吗?这样岂不是没有全程软开关了吗?

请教下,这个Tc Tf 的值什么怎么计算的? 确实是经验之谈啊

其实,我也遇到什么呢,在科陆公司的时候,llc用3535做的,三相电输入,开关管是分别两个管并联1000P的电容,没有还不行。3000瓦的是COOL-MOS,17N80的三只并联,共六只,但空载时在工作在间歇的震荡,平均频率降低了,所以,损耗 不大,但损耗什么情况大呢,就是轻负载条件下,这时是连续的工作,非0电压,其实是比较高的电压的导通,损耗是比较大的,散热器会发热。恰恰重负载频率低一些时就一点问题也没有了,这时并联电容大的损耗还更小,当然,我知道,并联电容不能太大,否则,非0压产生容性开通的损耗是比较大的。随着技术的发展,出现了llc多谐振的改进型llc的准谐型,就是频率变化反了过来,比如负载轻频率变高,在这里是频率变低了,有什么好处呢,就是非0压导通产生容性开通损耗,乘积的频率是一个正比的关系,这个损耗就减小了好几倍了,而且,环流大大减小了,损耗也小了,尤其关断的损耗是电流的平方,也平方比的减小了,但这个技术是新兴的,就是llc多谐振原理还没有多少人搞懂,目前是一个难点了,如果很好的做成多谐振的llc也算不错了, 不过,难以保证全范围都是0压的导通状态,llc要做到非常难,顾得了这个就顾不来那个了,许多充满了矛盾,如何解决,是一大难点了,我们是权衡取中间值了,即轻载热了一点还可以接受,并联电容允许下当然大一些好呀,即有利的同时也有弊了,就是中间是最大的公约数了,如果掌握,这个有功夫,需要实践反复,,有了经验就可以合理选择了。

不过,提一下,就是非0压是幅度的大小,如果完全最高电压,那么,这个损耗是非常大的,即0-输入电压,电压是平方的关系,如果几十伏对几百伏平方就是100倍了,就微不足道了,电压平方越高损耗越大,如果在100伏以下那也是非常小的,所以,不是有些人想象的那么简单,有经验者不困难,轻松选择,没有经验者,就要一个过程了。

张工,原来我这个电路没有工作在0电压导通,所以才会出现DS脚需要并联电容,来降低MOS的温升。当时就觉得很奇怪,去掉电容MOS温度飚的很高,加上之后,才算正常

非也,非也!

我可以明确地说,LLC做到开关管0电压导通,是不难的(基于频率高时电压低的环路相位)。

说难的,应该还没有彻底掌握LLC电路原理的精髓。

其实,励磁能量大于电容能量,适当的死区时间,就产生了0电压的开通条件了,是这样的,励磁电流与开通时间有关,当频率越高感抗就越大,励磁电流就越小了,当PWM占空比小了,即导通时间小了,励磁电流更小了,所以,产生了容性开通损耗了,当然,控制方式有差别,35256搞了两倍频率开始PWM与变频同时进行,三倍到0 了,就是空载温度低,在间歇振荡平均频率低了,但轻载时温度高了一些,所以,不敢把并联电容选得比较大,当然,6599的是间歇振荡,其实是吧平均频率变低了,所以损耗也小了,间歇其实处在励磁电流比较大,平均频率低了,所以不是那么明显了,不知道大家的看法如何。

确实,并联电容大了一些,LLC的关断损耗减小了,改变了轨迹,当然,这个电容允许的条件下,大了一些 的损耗减小了不少,只是可以适当的大一点。太大就要存在一些问题了。

看来经验丰富啊 上面我谈了的一些,是这样的,搞变频然后同时,占空比小了,导通时间短了,励磁电流更小了,会发生容性开通损耗的问题,空载时也间歇震荡,不会有怎么发热,但反而轻载时出现,因为,导通时间太短了,励磁电流实在小了,就出现了。但可以连续,比较均匀。所以,开关管并联电容必须比较小了,如果大了一些,确实可以减小开关管的损耗。那么,我提到的间歇震荡是否就非常好呢,就是不连续不均匀,环路不稳,而且会出现比较大的纹波,如果输入比较高的电压,输出电压低时比较严重,而且容易产生不那么可靠的情况。我一直就是用3525的控制芯片,6599的没有试验过,但老早就知道,开始是6598,然后改用6599的。也听说这个不可以调占空比,变频间歇震荡方式。好了,有趣的技术话题,大家讨论讨论,仁者见仁智者见智吗。

终于明白了张工认为LLC的“弊端”,是因为LLC+3525,由于3525不是专用的LLC芯片,用在LLC电路仅是变通应用,所以,在轻载时,没有打嗝,转而将PWM占空比调到接近零了。从而导致变压器原边励磁电流过小,而不能ZVS了。

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但我认为,一个LLC电源,控制芯片不应该是一个障碍,只要对原理理解了,控制电路实现的方法有很,专用芯片、DSP芯片、FPGA芯片,都可以。甚至还可以用模拟电路搭出来。

张工的经验真是太有用了呢!

1

张工看看这个是怎么回事 ?

LLC ,谐振电感200uH ,谐振电容 12nF , 变压器初级电感 1.3mH ,匝比 4.75 , 前级PFC输出 435V ,DC输出48V /1.5A

看看如何改改使波形更正弦一点。

下图是仅仅把变压器的初级感量改为 1.9mH 后的电流波形,别的没变。

2

注:变压器是分离的,即有单独的谐振电感。

你这个电流是严重的电流不对称了,其实,遇到的这种的现象非常多,有一个帖子轻微的电流不对称,我这里比较详细的讨论,那也是人家也遇到的,这个帖子就是LLC的电路的电流波形不干净,请问为什么,与这个帖子几乎同时存在的,到那里去看看吧。

其实,这个问题已经讨论多次了,有人说什么三合一谐振电感在里面出现,外串不会了,其实是一样的,外面也一样如此的,

把变压器初级的电感加大不过是关断电流减小,但频率的变化范围比较宽,这个不好,有PFC的3,5倍到3,7倍之间,因为,华为的LLC就是这样选择的。

有没有可能电容小了,死区时间大了,该电容被反充电,,,造成烧毁MOS,

还有种可能就是电容没有被反充,而是体二级管的耐电流的规格小了,把MOS的体二极管先坏掉了,,,

就是反充电的可能性有没有,张工,,

改匝比,把匝比减小点,,就可以了,,

你这个是工作频率在谐振左边了,,

匝比改到4.4

3

你这种还是不一致,,

上管开的时间长,下管开的时间短,看看上下管的驱动是不是一样的,

如果驱动不一样,,你就要调整环路,,,,如果驱动是一样的,那就是变压器的漏感有差异了,,,

楼感有差异的话会有什么后果捏 **此帖已被管理员删除** 哦哦哦 现在结果如何阿,解决问题了吗? 对呀,问题解决了么

这个是因为上臂和下臂驱动不太一致导致的,LLC很多谐振不堆成都是驱动造成的,因为2个完全一样的驱动是很难做到的。如果差了点就会造成不对称,谐振都是一样的,变压器漏感对两个方向漏感是一样的,只有驱动不一样才会看到上面这样的波形。

上面的波形想改变一下,解决办法就是改变一下谐振参数,避开这端负载,或者将上下臂驱动调整一下。

可能你说上、下臂参数一样的,但是,上、下臂的走线也会不一样,LLC的对驱动要求很严格,其实这样一个左边一个右边,只要同步整流驱动不出问题,模块问题不会太大。

解决办法就是改变一下谐振参数,避开这端负载,

如何改 ?往哪个方向改 ?

有收获嘛 我正好做的小功率的27伏10安自冷20安风冷,也遇到严重的电流波形不对称的情况,但被我解决了,想知道为什么吗,我现在没空,晚上回家里自己电脑回复吧。

什么拓扑 ?是LLC 多谐振还是你的LLC 全谐振 ?

上面120贴的还是有点不对称,其实,我目前做的是llc的准谐振,之前是多谐振,我提到的是针对这个的。其实,都是谐振型软开关,同样遇到电流不对称的问题一位说频率低了一点,其实,就是频率高了,不对称也是一样的,这个是非常常见的现象,正如一位说的,就是样机调好了,是不是都是一样的,其实,这个也是一个问题,这里可以了并不等于别的也一样可以,这个究竟是怎么一回事呢,都是一知半解了。

一位真武阁先生说的只要把不是做在一起,外置谐振电感就可以了,这个有一点道理,但不全面。

其实,是这样的,我的也遇到了,24伏10安最高27伏,另一个是20安的风冷,确实采用llc准谐振技术,如果存在是一样的。

我们搞llc不像硬开关那样,尽管硬开关漏电感越小越好,但llc需要谐振电感,其中就是漏电感的一部分,不够再增加一个小谐振电感调节,那么,存在漏电感不是一个问题,所以一概采用初级里层次级外层,之间团三层胶带,这样漏电感是大了一点。其实,还要串联一个电感呢。

我想了一想,我以前做的硬开关到没有什么出现,怎么到了llc,当年我是做llc多谐振的也经常遇到,所以,我不妨还是按照硬开关的三明治比较低的漏电感,结果如何呢,原来严重电流不对称的一下子就完全对称了,有一些偶然,但我的设想也许对了,已经完全非常对称了,这个问题就解决了,怪不怪。

那么,搞三和一的漏电感做到里面,当谐振电感使用,这个漏电感非常大了,也许说什么波形不正,就是漏电感越大越容易出现,我感觉是有一些道理,所以,采取了这一措施,看来有一些对头了。所以,这个问题就被我解决了,非常奇怪,我也严重不对称,怎么一下子就非常对称了,就这样OK了。

我的绕法就是里层初级,团两层胶带,绕次级,两层胶带,再绕初级,就是这个三明治了,一下子就解决了,电流不对称变成对称了。就是这样的。

这个。。。。。我明天试试

很疑惑,这么说那集成式的也就是三合一变压器的就肯定全部电流不对称了 ?问题是

我以前做的200W的 集成式的 也有电流很对称的呀。

对于这个问题,我也无法完全说清楚的,我说了,偶然,可能与绕组有关,为什么有时出现有时并没有出现,不是一定出现的,其实,真武阁先生是一个电源界的老行家了,我认为有道理,好在如今改变了变压器的绕法,怎么就对的上号了,只是相对的吧,没有绝对的,怎么你的三合一集成200瓦没有出现,其实,做产品的不少,因为叶先生说的波形不正,同样产品,我看到同样led,有的也非常对称的,我听他说的,严重的话,不可靠,要爆管的,输出二极管也会坏掉,这样输出短路开关管也快了,坏了。问了许多人,也没有明确的解释,也搞不清为什么了。我说了,严重程度不一的,如果对称,就放心了,不是凡是就一定,不是这样的。我看绕线均匀一些好,避免不对称的情况了。

我今天试的结果是这样的,可以参考,实验一下,也许可以。就是像硬开关一样,三明治比较低的漏电感。

好多原因,不是这一点决定的

这个第120贴的电流波形不对称的原因,怀疑漏感与驱动不对称的,我认为都不对。

漏感与驱动不对称的波形都不是这样的,轻微的不对称,在波形上几乎表现不出,如果不对称严重的话,只是正弦的抛物线的孤度有稍微的不对称。

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大家仔细看第120贴的波形,负电流的波形,算是正常的LLC波形,开关管栅极关断时,有一个迅速下降的波形,这个波形,是电流往开关管DS极间电容充电的过程,充电结束,谐振电流等于变压器原边的励磁电流,此时,变压器副边二极管电流也下降到0。

但是正电流波形,就没有这个电流迅速下降的结果了,开关管关断时,谐振电流已经接近变压器原边的励磁电流,谐振电流过渡到励磁电流的过程几乎是很平滑的。此时,变压器副边的二极管电流也下降到0。

以上这二个波形的不对称细节,可以看出,变压器副边的电流是明显地不对称了。

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造成这个不对称的最直接、最有可能的原因就是:变压器副边匝数不对称(不是漏感,是匝数)。

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那我们就按变压器副边绕组匝数不对称来处理这个问题。

根据波形来看,应该是总匝数的5%左右不对称,具体排查解决方法是:

1、如果副边绕组是大于10匝以上时,重点查看两个绕组之间相差是否有多一匝或少一匝。

2、如果副边绕组是少于10匝的,如果匝数也对的,重点查一下绕组出线的端口是否对称了。同样的匝数,一个绕组的漆包线的头尾焊到变压器的骨架上时,即使是同一侧,但焊到不同的针脚,最大也会相差四分之一匝。四分之一匝,对于5匝的绕组,就是5%了,足以引起第120贴图中的电流不对称了。

3、如果副边匝数也对,引出线到针脚也对称,那有可能是内部绕组分配造成的匝数不对称,这时,可以不用改内部的绕法,仍旧用引出线焊到不同的针脚上来调整匝数。此时,将对称的引出线,故意调整到不对称,以抵消内部的不对称,最终使整个绕组对称。

4、其它方法,只要能微调改变匝数的方法,都可以,大家可以自己发挥。

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为了验证以上的结果,我将之前用的LLC仿真图中的变压器副边的其中一个绕组的匝数,故意从5匝增加到5.2匝,波形的结果,截图如下,跟第120贴的结果几乎完全一样了。

png-llc02

仿真用的变压器是,EE55,匝比是22:5:5,气隙1m,初级电感210uH

回复上一位,按你的说法,就是存在1/4的匝数了,真的是这样的吗,匝数少了,如果50伏以上匝数多了呢,误差是不是小了,我想问的是,50伏我用全桥,肖特基100伏压降低,如果不是,中抽那么要用到200伏了,其实抵消也差不多了,但这样方便的呀,那么,不少110伏250伏400伏一概用全桥整流了,一概采用单一的绕组,不是中抽,不存在几分之几的现象,但是什么呢,就是一样存在这个电流不对称的现象,如何解释呢,没有中抽,单组也一样的,没有两样的,如何自圆其说,思考问答这个问题吧。

4

看来,你也是初级在里次级在外了,对了,确实,忽略了次级输出的头中尾的位置,确实有一些关系,也就为什么有时出现有时没有出现的波形不正的问题。即偶然性了,但我好像做250伏2,2安即600瓦,用的的全桥整流,也不对称的呀,结果什么呢,就是驱动电阻一头大一头小了,一时也是没有办法的呀,我也一时不知是为什么的呀,因为,这个的单个绕组,不是中抽,也一样出现了,但250伏10安就非常对称。有时也是莫名其妙的,轻一些就不理它了,严重一些就要调整了,否则是不行的。 张工!

谢谢!!

匝比不对称可能是主要原因,因为匝比不对称的话,次级电感量一点点的差别经过匝比的平方的倍数后就放大了很多,会导致死区时间的谐振周期产生很大的不同。如此看来,在大匝数比的情况下这种现象更严重。

大匝数比的问题 回复6588的那位,llc软开关输出二极管一概不允许加RC吸收,把硬开关的惯性套到这里就错了,因为,等于开关管并联了电容一样了,就是增加了容性回路了,在llc里是不存在硬开关的峰值谐波的,是干净的正弦波电流,加了起了反作用了,情形是不一样的,一概不允许加RC吸收器的。 高手过招的精华帖啊:)

更正一下:是SUN6588

1.请再研究一下软起动二极管的作用;

2.我说的是PFC回路中的升压二极管;

3.其实就是差那么一点问题就解决:换9N50方向是对的!过多的考量成本,问题反而出现!(但一定要排除铝线问题,在长虹是有发生过的!)

可否谈谈PFC中的升压二极管怎么软启动 ? 你说的是pfc升压电路如何减小二极管的关断损耗吧,其实,这个是硬开关,大电流关断,存在关断损耗,开通也一样的,如何减小呢,早就有二极管对电容充电,然后用辅助电感器能量回馈导通和输出,许多人试过,我也一样,但效果不是那么好,所以就没有广泛采用了,如何减小呢,请看下一贴。 有介绍碳化硅,价格贵,我试过了,用8安的不如IXYS60安的反而小的多了,还便宜的多,实际上是误导了,实际通过电流小,如果到60安是60纳秒,那么,6安几乎导通时间是10纳秒了,而且压降也小了不少了,还划算的多,存在大谈特谈碳化硅,没有用,我用过了,如果采用我介绍的60安600伏的损耗会小很多的,不是按照三倍即15安就用60安的吧。另一种做法就是肖特基100伏40安,即40CPQ100,六个串联,也许会说这样的压降高多了,看来三倍左右吧,要知道,直流损耗其实非常小的,动态的交流损耗非常大,是直流的十倍以上,肖特基就是非常快速,损耗小,其实,总损耗其实还更小,这个管子非常便宜,我用的就是插件,不要加散热器就可以了。当然实际加小小散热片就可以了。不要用什么碳化硅二极管。

1.我有8A10A15A600V带软恢复功能的二极管,可以供样试试(07-12年这颗料在某大厂的TV电源PFC电路中,每年用量在5-7KK,也没有问题,供参考)

2.PFC电路中升压二极管的前面,有串特殊电阻没有?仅供参考;

受益了。

其实,llc的非常容易出现电流不对称的现象,有各种情况,我也发现,如果是二极管整流比较对称,但一旦引入了同步整流,更加严重了,本身场管存在参数差异,许多人出现了就是说什么波形不正,据说产品坏掉了,就是存在一个谜团,为什么,困扰了。所以讨论详细一些的好,我的什么驱动电阻一头大一头小,上面提到有人也这么做了。

开关电源这个话题其实非常深奥,高深难懂,只是,小功率可以照葫芦画瓢,大家误以为门槛低可以轻松入们,一下子全懂了,其实根本不是这么回事,碰到的问题非常多,才知道难了。也因为这样,我国 的这个行业低端低技术含量的最多了,其实,这个行业是无线电技术行业,我是学无线电技术的,有一些基础了,但还是遇到非常实际的技术问题,而且原理不懂,其实,不少老外的抄袭模仿成了没有,怎么那么少见的呀,就是全失败了,就是当初抄通合公司的都遇到陷阱,也大多失败了,老外的更鬼了,所以,我国的技术是低技术含量的,低端的产品,就是原理搞不懂,生搬硬套死板做是不行的,开关电源技术的奥秘非常多,遇到的问题也非常多,就是觉得古里古怪的,把人搞得晕头转向,莫名其妙的,多一些交流和讨论是非常好的,从中也可以学到非常多的东西了。

不错,讲的有理。

MARK一下

精华! 留个脚印慢慢消化!

我这里复制一下另一个帖子的【LLC电流波形不对称】,我的论述,我提到可能就是由于开关管参数差异面积开关管的导通时间不一致造成的,这个也是我老早困扰的没有充分悬而未决的技术问题了,如今按照这个思路,正好我正在做的3500瓦的电源,用COOL-MOS--47N60两个管子并联,发现电流不对称比较严重了一些,那么,就把两个断开,只用单管使用,结果发现电流对称了一些,这个说明了什么呢,发现问题就有办法可以处理了,也就迎刃而解了。

这个讨论了十年以上了,到现在还没有充分的圆满的解释清楚了,各种各样,就是驱动3对称情况下,什么输出绕组距离,电压低时尤其明显,其实,也不是这个原因,双线并绕还是一样的,那么,还讨论怀疑了磁芯质量问题,偏磁问题,其实,也不是这样的,这个就是为什么有时对称有时不对称,有时严重一些,有时轻一些,其实,管子的快慢还是不一样的,存在差异了,也许,是因为管子的导通时间不一样造成的,这个恐怕成了八九不离十了,如果是这样,就有了有的放矢,针对性地解决这个技术问题了,也好办了。

也许,还是有一些人提出疑问,真的吗,其实,如果质量好优质的器件估计好一些,如果质量差一些的参数的偏差比较大,问题恐怕就比较严重了,怎么来说都有偶然性,有时还是有时了,那么,这个又怎么解释呢,所以,我估计重点还是导通时间不一样,不对称造成的,不是什么驱动不对称,因为,你仔细呀仔细,还是完全对称情况下出现了,解释不通的呀,更大的疑点还是其实是开关管导通时间不一样造成的,其实,也好比驱动不对称一样了,其实是开关管的导通时间不对称造成的,这个可能性是非常大的。

很精彩,学习了。

现在图纸中没看到MOS管是如何驱动的。

如果用的是自举电路,想办法看看能不能飞成驱动变压器再试验一下。

自举电路在LLC应用中有很多弊端,因为LLC一般工作频率都比较高100k以上,

这个时候,MOS管的引脚电感量不能忽略,这个时候可能就会造成驱动超出MOS管的GS电压或者驱动芯片供电电压。

造成驱动损坏、上下臂直通,导致MOS管爆炸。

建议大家参考一下本网站上:功率器件中,有一份文章:MOSFET的UIS及雪崩能量

2011-12-07 09:07 来源:电源网 作者:sky ,或许对大家有用,供参考,谢谢!

应该是参数调整是在边缘状态

建议调整一下,电感量和漏感试试

我认为这样,又提到了波形不对称的话题了,首先,估计还是开关管的自身导通时间造成的,即管子的真正导通的阈值即实际导通的电压值不一定完全一样,如果驱动提高一些电压,可以缩短这个差异,这个改善一些也许还是有一点的,因为,我也有过一些实践经验。 1

学习

学习中 JHJKG 留印 在了解一下 学习下 kankan 111111111 ,学习学习 学习中 目前也在做LLC,学习一下 波形看起来还不错的 老化炸机,是和高温有关吗? 其实,只是一方面原因,如果温度没有超过就没有问题,老化估计你决定频率的电容受热变小了,频率提高了,损耗大了,温度高了,恶性循环,一些参数也变了,性能恶化了,不是单纯的高温,仔细看看检查一下再说吧。 路过

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