各位大哥，小弟这儿有一个问题想请教一下大家，在我的设计板上有一个线路是DCDC 12V-12V，是通过两颗PMOS切换的，现在我遇到的问题是，两颗PMOS的通流能达到25A就烧毁（能看到明显冒烟），但是断掉其中一颗，只让一相工作，也能达到25A才烧毁，烧毁前量测两相MOS温度，均在43℃，这点能断定此时两相均流；只一相工作时，烧毁前量测MOS温度，大概在70℃。PMOS的规格Id=21A，TA=25℃，用的是IR的IRF9310PBF
原理图
这种现象应该怎么分析，望各位大哥指导，谢谢！
还有，不仅是IR的，仙童的，英飞凌的我都试过了，都是一样的情况，但是我不知道具体原因出现在哪
这两个电容感觉是多余的，C1274位置应该加个泄放电阻，栅极电阻适当加大一些，防止并联MOS产生寄生震荡。
已经被添加到社区经典图库喽
http://www.shenghan.net 扁平线电感bbs/classic/
请将完整原理图和PMOS周边PCB图 都截图上来。
一定给你找到原因。
这是PCB，控制GATE端的芯片是TI的TPS2363PFBR，功率部分的线路图就是上图，很简单的PMOS实现的DCDC转换，大多数情况下，两相烧毁的是左边的MOS
由于你没有完整原理图，请告之你后端负载电容多大？就是12V输出的滤波电容。最好也有12V的输入滤波电容值。另外，你量一下在10A电流时，MOS的DS之间压差多少mV给我。此时一并量一下VGS是多少V。
左边与右边MOS，差别就是电流不均，左边那路比右边电流大，说明设计有问题。只有将上面几个参数都查出来，才好一次性解决。
10A条件下DS压差是22mv，GS是-11.36V，至于输入输出电容，在近端都没有放置。
并联后，实际是2.2mR，25A*2.2mR*25A=1.375W，也就是说不是直流发热烧MOS的。
是问输入输出电容多大，后端DCDC的输入电容，也有关系的。
后面DCDC的输入电容太小的话，DCDC的脉冲电流也会引起PMOS的脉冲电流大。
后面DCDC的输入电容太大的话，开通PMOS时的冲击电流会大。
用示波器抓2mR合金电阻上的波形 (从上电启动到烧毁MOS管时的波形，都抓出来) 。就能知道是什么原因引起的了。
知道原因后，就好解决。
后面是通过一个插槽连接另一块板子，但是在实验时没有插板，所以没有后面的DCDC输入电容，冲击电流一般也只会出现在开通或者热插拔的时候，我是缓慢增加负载出现烧毁情况。关于烧mos抓波形的实验，由于我现在可实验的板卡有限，所以我想多征求一下分析意见再进行这种实验，还有有没有在缓慢增加负载的情况下mos出现超SOA的可能
SOA 你才15A，不会有问题的，只可能是负载瞬间电流相当大才会。再说，你加了TI的控制芯片，本身就是为了 过流短路 保护的。我们用过50A都是用2个PMOS并联驱动的。所以你不用担心控制方式问题。
你的负载是电子负载吧？也有可能是电子负载有问题，你改用电阻负载测下25A看看。比如用100瓦的水泥电阻1R，2串4并，就是0.5R 800瓦，实际就会是12V 24A 不到300瓦。
对，我用的是电子负载，但是电子负载的精度是可以保证的，用了很多年了
电子负载不是精度问题，电子负载里面也是运放+MOS做的，是与外部某种电路配合不好时，形成振荡，就可能会有瞬间大电流脉冲，为了避免这种可能性，你自己想办法验证吧。我们以前也是遇到过这类电子负载大电流的情况的。
上头条咯~
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