美国北卡罗来纳州立大学的研究人员开发了一种将带正电荷(p型)的还原氧化石墨烯(rGO)转化为带负电荷(n型)还原氧化石墨烯的技术,该技术可用于开发基于还原氧化石墨烯的晶体管,有望在电子设备中得到应用。 石墨烯石墨烯的导电性非常好但不是半导体,氧化石墨烯像半导体具有带隙却导电性差,而还原氧化石墨烯只带正电荷(p型),可解决这一问题。 北卡罗来纳州立大学材料科学与工程系的研究团队发明了利用p型rGO制备n型rGO的方法。 首先,他们将rGO集成到蓝宝石和硅晶片上,然后使用大功率激光脉冲来周期地冲击晶片上的化学基团。 这种冲击可有效将电子转移,使p型rGO转化为n型rGO。 整个过程在室温和常压下进行,完成时间小于1/5微秒。 这种激光辐射退火方法提供了高度的空间和深度控制,使开发基于p-n结的二维石墨烯电子器件成为可能。 这一成果发表于美国物理联合会(AIP)《应用物理》期刊网站上。
基于FPGA低成本、高灵活度MIPI CSI-2、DSI连接 日前,在2014 MIPI联盟开放展示日上,莱迪思半导体公司现场展示其两款MIPI连接解决方案:USB 3.0视频桥接解决方案(包括支持MIPI CSI-2)以及MIPI DSI连接方案,为消费电子 整流二极管损坏的几个可能性1、防雷、过电压保护措施不力:整流装置末设置防雷、过电压保护装置,即使设置了防雷、过电压保护装置,但其工作不可靠,因雷击或过电压而损坏整流二极管。 2、运行条件恶劣:间接传 一种变压器隔离驱动电路 一般简单的变压器隔离驱动电路如图1
图1简单变压器隔离驱动电路
这种驱动有几个缺点如占空比调节范围不可以很宽、输出幅值受占空比影响、电路损耗随占空
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