如下图，请问如何选取R5，R3的值？ 因为我看开关电源ic的规格书，上面说流入fb脚的电流大于49uA时，开关电源断开。 然后我就纠结了，究竟光耦两端电压为多少时（这个电压影响到光耦的IF，进而影响到光耦次级电流，而且这个关系不是线性的！不知道怎么确定。 ），达到开关电源断开的临界值呢？并且，fb引脚本身是有电压的吗？不然就算光耦导通了，哪来的电动势去产生电流给fb脚呢？难道光耦自己会产生电流？ 还有就是TL431的问题，我只知道根据Vref 计算输出电压，而且TL431规格书上的参考电路都是Vk 和Vout连在一起的，这电路里面没有连在一起，我就不知道怎么去分析了Vk了。 。 。 本帖最后由 yonghuixi 于 2017-2-17 11:30 编辑 PC817是线性光耦，这个关系应该手册中会有图，关于fb pin是否有电压的问题不好说，我理解，光耦导通是是靠感光管的光电流，不应该是fb pin的电压。 另外，光耦的暗电流，需要关注，pc817 max 10-7A yonghuixi 发表于 2017-2-17 11:28PC817是线性光耦，这个关系应该手册中会有图，关于fb pin是否有电压的问题不好说，我理解，光耦导通是是靠 ... 我刚刚仔细看了一遍规格书，大概搞清楚了，温度25度时，pc817在Vf=1到vf=1.5的变化区间，对应的If值从0变化到200ma，典型值为20ma。 然后再看Vce和Ic在If等于20ma时的曲线关系，发现即使Vce等于0时（即我这种连接状态），Ic变化特别迅速，所以大概取一个估值计算即可。 我打算取1.2v，20ma来计算反馈 搞清楚了！TL431的拓扑图如下，电路实际上是取Rref的值为反馈的，内部有一个比较器，当Rref大于内部基准电压2.5v时，三极管导通电流快速增大；当Rref小于内部基准电压2.5v时，三极管导通电流快速减小；回到电路中，比如12v升为13v时，Rref大于2.5v，此时三极管导通电流增大。 流过光耦的电流增大，产生反馈，开关电源关断，拉低12v，反反复复，使得输出在12v附近微小波动。 因此，R3的取值其实无所谓，只需保证不要太大使得流入光耦电流太小，不要太小使得烧坏光耦，就行了。 
红外动目标识别跟踪系统的DSP+FPGA实现与通用集成电路相比，ASIC芯片具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高等几个方面的优势，而且在大批量应用时，可降低成本。现场可编程门阵列（FPGA）是在专用ASIC的基础上发展出来的，它克服了专用ASI PD18W 反激电路 EMC整改分享。芯片：ME8165G+ME84PD18W,EMC整改历程，希望能给朋友们有所帮助。EMI分为传导与辐射两部分，对于EMI解决方案，相关理论书籍也很多，作为一位电源产品开发工程师，即使你看了很多EMI处理方面的书籍，但碰到 Microchip推出3kW瞬态电压抑制二极管阵列产品，实航空航天系统依赖于引擎控制单元、环境控制、仪器和执行器中的数字和逻辑功能与电路才能完成关键的工作。数据中心、5G 基础设施和通信系统同样依赖于复杂的电路，而这些电路
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