宽带低EVM直接变频发射机

宽带低EVM直接变频发射机 (CN0134)

图4. 滤波器b的边带抑制（850 MHz至2450 MHz）

对于使用滤波器b（850 MHz至2450 MHz）的电路，其边带抑制性能与频率的关系如图4所示。电感器生产厂家此次扫频的测试条件如下：基带I/Q幅度 = 1 V峰峰值差分正弦波，与500 mV (ADL5375-05)直流偏置正交；基带I/Q频率(fBB) = 1 MHz。

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图5. EVM图

误差矢量幅度(EVM)工字电感衡量数字发射机或接收机的性能质量，反映幅度和相位误差所导致的实际星座点与理想位置的偏差。EVM图如图5所示。
表3给出了有滤波器和无滤波器两种情况下的EVM测量结果。本例中，基带I/Q信号是利用3GPP测试模型4，使用Rhode & Schwarz AMIQ（数字输出）和外部16位DAC板(AD9788)而产生。另外还使用了滤波器b。图6为EVM测试设置的框图。

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图6. EVM测量设置（原理示意图）

邻道泄漏比(ACLR)衡量相邻通道的功率与主通道功率的关系，用dBc表示。
LO相位噪声和调制器的线性度是ACLR的主要影响因素。ACLR测试设置与EVM测试设置大致相同，只不过同轴滤波器位于AD9788 DAC板的I/Q输出端，以便减少混叠产物。

频率(MHz) 复合EVM，无LO滤波 复合EVM，有LO滤波，滤波器C 调制器输出功率(dBm)
2140 3.50% 1.80% −7
1800 3.40% 1.50% −7
900 3.30% 0.90% −7

表3. 单载波W-CDMA复合EVM结果：ADF4350 RF输出端有滤波器和无滤波器两种情况对比
（根据3GPP规范测试模型4测量）
以差分方式驱动ADL5375 LO输入，除了可以改善边带抑制和EVM之外，还具有性能优势。与单端LO驱动相比，调制器OIP2性能绕行电感器可以提高2 d村田电感B至5 dB。请注意，多数外部VCO仅提供单端输出，因此ADF4350采用差分输出优于使用外部VCO。
图7显示使用850 MHz至2450 MHz滤波器（滤波器b）的边带抑制结果。

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图7. 850 MHz至2450 MHz滤波器b的边带抑制结果

常见变化
当单个滤波器无法完成所需的宽带操作时，可以使用ADF4350的辅助输出，在两种类型的滤波器之间切换。图8显示了这种情况：使用一个RF双刀四掷开关(DP4T)选择滤波器1或滤共模电感波器2的差分输出。

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图8. 利用ADF4350的主输出和辅助输出实现滤波器切换的应用图

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