电平转换MOS 应用问题

最近做了一个案子，发现经常烧MOS，现象是DG间缓慢击穿（暂且用击穿这个词），大概是开机2~3天，这个MOS DG间二极体阻抗就会减小很多，甚至直接击穿(D极直通+12V），这个问题困扰很久，没弄明白（图中的QE1,型号BSS138P，管子的VGS是+/-20V的），请版子里的大神帮忙分析下看。

按理说MOS是压控性的原件，Vgs不超过使用安全电压就不应该会烧管，但是现在G端接12V控制，不知道为什么会烧管，有处理过类似情况的兄弟么
在GS脚之间加一个电阻试试看
谢谢，GS间有一颗10K电阻的，RE7就是
整个电路截图一下，一部分看不出来
兄弟，这个部分电路只有这么几个零件，其他部分和这个不相关的，这个漏机出去直接接IC的GPIO，源极接地，栅极接的12V。

时间一长栅漏就会击穿短路，12V直接灌到IC 的GPIO，IC直接被干掉了。

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