
该PA和目前已有研究的成果进行对比结果如表1所示,整体性能在效率和线性度之间取得非常好的折中,输出功率也较高,虽http://www.ruishen.net.cn/大功率电感器然流片测试之后的性能会下降,但是本文所用的功率提升和线性度提高技术得到验证,可以应用于同类PA的设计。 
5 总结 设计了一个2.5 GHz的差模电感器CMOS PA,通过采用功率合成技术和线性度提高技术来提升该PA的整体性能,片上变压器作为功率合成器在2.5 GHz时其功率传输效率达到82%,二次谐波短路电路通过片上电容和片外键合金线的寄生电感谐振,大大降低芯片面积,同时对该PA的IMD3改善达到7 dB。该PA采用TSMC 0.18 μm CMOS进行设计,最高输出功率达到31.8 dBm,三阶交调失真在输出功率等于22.3 dBm时为-30 dBc,芯片面积仅为1.92 mm2,具有高输出功率、高线性度、结构简单、匹配良好等优势。 参考文献 [1] JOHANSSON T,FRITZIN J.A review of watt-level CMOS RF power amplifier[J].IEEE Trans.Microw.Theory Tech.,2014,62(1):111-124. [2] CHOWDHURY D,HULL C D,DEGANI O B,et al.A fully integrated dual-mode highly linear 2.4 GHz CMOS power amplifier for 4G WiMAX applications[J].IEEE J.Solid-State Circuits,2009,44(12):1054-1063. [3] KOO B,JOO T,NA Y,et al.A fully integrated dual-mode CMOS power amplifier for WCDMA applications[C].International Solid-State Circuits Conference. San Francisco:IEEE,2012:82-84. [4] KIM J,YOON Y,KIM H,et al.A linear multi-mode CMOS power amplifier with discrete resizing and concurrent power combining structure[J].IEEE J.Solid-State Circuits,2011,46(5):1034-1048. [5] AN K H,LEE D H,LEE O,et al.A 2.4 GHz fully integrated linear CMOS power amplifier with discrete power control[J].IEEE Microw.Wireless Compon.Letters,2009,19(7):479-481. [6] AFSAHI A,BEHZAD A,LARSON L E.A 65 nm CMOS 2.4 GHz 31.5 dBm power amplifier with a distributed LC power-combining network and improved linearization for WLAN applications[C].International Solid-State Circuits Conference.San Francisco:IEEE,2010:452-453. [7] WONGKOMET N,TEE L,GRAY P R.A 31.5 dBm CMOS RF Doherty power amplifier for wireless communications[J].IEEE J.Solid-State Circuits,2006,41(12):2852-2859. [8] DEGANI O B,COSSOY F,SHAHAF S,et al.A 90 nm CMOS power amplifier for 802.16e(WiMAX) applications[J].IEEE Trans.Microw.Theory Tech.,2010,58(5):1431-1437.
反激式变压器二次输出端滤波电容发热,个别烧掉
如上图,二次端输出电压为5V,C+2为钽电解电容,规格为16V,100uf。使用过程中发现C+2和L1有发热现象。现在发现有个别钽电解电容烧掉,概率1/4000.钽电解电容正极电压波 关于脉冲变压器的Saber仿真设计的一点疑惑(电容
图3是网上借鉴别的设计的图,上图是修改后的saber仿真模型 。原图中 若在信号源处使用常用的pwm缓冲器输出电压或者3.3v电压,无法得到电压的提升在输出端。故在推挽的前 TD-LTE的发展路径之争:F频段还是D频段? 今年“5.17”并未像市场传闻的那样发放4G牌照,但这丝毫没有影响业界对中国4G建设的关注。众所周知,在中国这个全球最大的电信市场,今年又有一块最大的蛋糕即将出炉:6月前后
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