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【求助】大家帮我看看是什么原因导致我的驱动变压器波形这么差?

时间:2018-03-22  来源:扁平线圈电感厂家  点击:

本人最近在做蓄电池的电容均衡,想获得几路隔离的驱动信号,遂决定采用隔离变压器的方案。

电路原理图如图一所示,其中,驱动信号是由SG3525提供,经推挽放大后,信号经隔直电容进入驱动变压器初级,变压器次级开路,测得驱动输出波形。

图一 电路原理图

电路参数如下:隔直电容4.7uF,变压器初级电感237.2uH,次级268uH;

实验现象:驱动信号频率在8K左右,变压器发出刺耳的叫声,波形不理想,如图二所示。



图二 驱动变压器次级开路波形

在此真心求助,希望有过设计、调试等相关经验的高工们,给小弟点建议!不胜感激!

求知若渴,在线等 驱动频率太低。 团长您说的驱动频率太低是指引起的变压器噪声?还是引起的其他的现象? 驱动频率太低,导致了噪音。同时驱动频率这么低,隔直电容取4.7Uf就很小了。

1. 驱动变压器感量搞大点

2. 隔直电容试试1uF,100nF等等

恩,下午把变压器重绕一个,电容也换小点试试!

营长,能不能从机理上帮我分析分析?

电容容量太少了。换470UF

容量太小,有微分效应了


470uF无极的电容?

有极的也可以


这是新调试的波形图,频率提高到四十K左右后,变压器叫声消失,波形震荡也消失,但是低频情况下依然如此,可实验中我不需要那么高的频率,还是隔直电容太小的原因?

而且这个波形存在一个很大的尖峰,不知是什么原因引起的?

如果是需要8K左右的频率的话,那噪音基本是无法避免了,只能通过改善变压器来尽量减小噪音。

要波形正常的话,得提高隔直电容容量和变压器励磁电感感量。

ok!再继续完善,重新绕一个变压器,增加匝数,团长,波形那个比较大的跌落是怎么回事? 你说的是中间那个坑吗?那个是由于你的变压器原边电流在此时过零。 团长,那这个问题有好的解决措施么?会不会影响到驱动效果? 先增加电感量试试。 师长 您是指将变压器匝数增多? 磁芯尽量用高导磁芯,或增加匝数,电感量增加到1mh以上。 ok,刚才自己也试着分析了一下,你看对不对哈,正脉冲时,电容充电,电流持续流入变压器,当磁芯饱和时,变压器失去了作用,电压此时开始跌落,当磁芯退出饱和,变压器又重新发挥作用,输出正常的电压波形。自己分析的,不知道对不对? 怀疑磁芯饱和的话加大磁芯试试。 老师你看这个尖峰是如何产生的? 你频率怎么设在8K,是不是低了、隔直电容也要好好调下。 是会有很大的噪音的 恩,我驱动的mos管不需要太高的频率,隔直电容多大比较合适?

频率越低,电容越大


路过,关注一下。。。。 师长,给点建议吧,做不出来了! f=1/2*3.14{LC}实用不?{}表示开方!谢谢!8k在音频范围内,想不唱都难,呵呵呵 这是算的LC谐振的频率么? 应该是的

下午把电容值变大,波形改善很多,但是仍有一个较大的尖峰,下午分别采用的是47uF、100uF、220uF,波形几乎差不多。

而且负脉冲还有个震荡,各位有好的解决措施么?当前的实验条件是次级开路! 次级也加一个隔直电容试试呢 试过了,没什么效果,电压跌落依然存在

晚上又重新绕了个变压器,负脉冲的振荡消失,但是电压跌落和尖峰依然存在,如下图标记所示,各位老师,这个问题是由什么引起的呢?



注意VCC的退耦。 师长,您是怀疑电源侧引进的干扰?

尖峰由变压器饱和引起

解决方法:增加匝数

今天把输出电压升高了点,然后变压器次级输出给调理了一下,10V稳压管稳压,得到如下波形,给点评下?

不知道稳压前的波形有没有改善?用稳压管强行钳位,会增加驱动负担。

这个波形差不多了,不过中间还有一点台阶,也能解决了就完美了

你这波形一定要带管子后再进行测试,否则也是白折腾

今天用MOS管空载测试了一下,波形没啥变化,还没敢带载进行测试

不是很赞成用稳压管强行钳位,这样只是表面看起来好看。不知道带载测试情况会怎样。

是呢,我也感觉治标不治本,今天刚把mos管安好,回头带载再测试一下! 没有改变呢,强行将顶端的波形削掉 请问您的变压器参数是怎样的?我做的大概中间的位置有个台阶,一直无法消除

如果是驱动MOS管,用快速光耦来驱动比变压器要省事不少吧


快速光耦的话需要多路电源啊,而且电源变压器的电磁干扰比较严重 当然了

你的10V稳压管太低了,要选到15-18V,刚开始的叫声应该是8KHZ的音频声音,波形差是电感量太小,造成励磁电流太大,要选择高磁导率的磁芯或者匝数绕多

我不明白,就是3525的是两个输出端,又不是3845,,42之内的呀,即3525,的11,14,两个输出图腾放大再推动驱动电路的呀,因为,一个占空比变化,两个半波的阴影面积一样的,产生什么呢,就是占空比小的电压幅度高,占空比大的电压幅度低,高了就是选择高一些耐压的稳压管也要击穿的。

其实,这个磁环驱动我一开始在一家比较大的公司,他们都是这样做的,我彻底引用了,就是12伏100千赫的驱动磁环的初级电感量是1毫亨,频率低电感电路一些,频率高电感小了一些,电压高电感大一些,电压低电感小一些,就是这样的。你这里如果频率非常低的电感量是非常大的,有介绍什么驱动芯片,就是移相电路,其实,完全没有必要,四个管子要四组了,复杂,一个驱动环可以提供多少组都可以,两对前后两个就是两个环了,3525就是一个了,全桥的可以四个管子四组输出,初级一组就是五组了,两管的是三组了,非常方便。

是的

大电流电感

请教大家一个关于半桥驱动电路的问题




这是IR2104 DATASHEET上提供的典型连接






这是我看见的另一个接线版本,请问多出来的这些二极管是干什么用的??


还有,如果驱动电机,使用IR的半桥驱动芯片还

肖特基二极管与其他二极管相比有何特别?提到低功耗、大电流、超高速半导体器件,很多工程师同学肯定能首先想到肖特基二极管(SBD)。但是你真的会用肖特基二极管吗?和其他的二极管比起来,肖特基二极管又有什么特别之处呢?

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