以下是网上看到的BOOST升压计算方式，其中计算电感量的计算电感量是，把相关参数带入，计算结果和网上的说的差别很大？是什么原因？如下的：2、电感量 先求每个开关周期内电感初始电流等于输出电流时的对应电感的电感量 其值为Vi*（1-don）/（f*2*Io），参数带入，Lx=38.5uH，代入公式怎么也计算不到38.5uH BOOST升压电路参数计算 已知参数： 输入电压：12V --- Vi 输出电压：18V ---Vo 输出电流：1A --- Io 输出纹波：36mV --- Vpp 工作频率：100KHz --- f 1、占空比 稳定工作时，每个开关周期，导通期间电感电流的增加等于关断期间电感电流的减少，即Vi*don/（f*L）=（Vo+Vd-Vi）*（1-don）/（f*L），整理后有 don=（Vo+Vd-Vi）/（Vo+Vd），参数带入，don=0.572 2、电感量 先求每个开关周期内电感初始电流等于输出电流时的对应电感的电感量 其值为Vi*（1-don）/（f*2*Io），参数带入，Lx=38.5uH， deltaI=Vi*don/（L*f），参数带入，deltaI=1.1A 当电感的电感量小于此值Lx时，输出纹波随电感量的增加变化较明显， 当电感的电感量大于此值Lx时，输出纹波随电感量的增加几乎不再变小，由于增加电感量可以减小磁滞损耗，另外考虑输入波动等其他方面影响取L=60uH， deltaI=Vi*don/（L*f），参数带入，deltaI=0.72A， I1=Io/（1-don）-（1/2）*deltaI，I2= Io/（1-don）+（1/2）*deltaI， 参数带入，I1=1.2A，I2=1.92A 3、输出电容： 此例中输出电容选择位陶瓷电容，故 ESR可以忽略 C=Io*don/（f*Vpp），参数带入， C=99.5uF，3个33uF/25V陶瓷电容并联 4、磁环及线径： 查找磁环手册选择对应峰值电流I2=1.92A时磁环不饱和的适合磁环 Irms^2=（1/3）*（I1^2+I2^2-I1*I2），参数带入，irms=1.6A 按此电流有效值及工作频率选择线径 其他参数： 电感：L 占空比：don 初始电流：I1 峰值电流：I2 线圈电流：Irms 输出电容：C 电流的变化：deltaI 整流管压降：Vd
根实际计算对比有误差都是很正常的
我的意思是按照这个公式，和参数之间带入公式中压根不对，不是误差啊，相差太大了
按照这个公式Vi*（1-don）/（f*2*Io），带入文章中的参数就是12V*（1-0.572)/100K*2*1A=25.68uH,和文章中计算的38.5uH,相差太大，是什么原因？
公式错了，用Vin应该是导通时间 不是关断时间
先确定是DCM还是CCM DCM和CCM公式不一样
求教，UC3844双管正激24V 10A宽电压输入问题 求教，UC3844双管正激24V 10A宽电压输入问题
1.输入电压：90-275VAC
2.频率：65Khz
3.变压器：EE40
4.输出：最大24V 10A
5.VCC用辅助绕组15V
现在担心的是这么宽 磁性材料基础求助饱和磁通密度(百科）：电流增加到一个点而铁芯的磁通却不增加了，这个点就是饱和点，这个现象就是饱和。请问饱和磁通密度是材料固有属性，还是和材料形状有关系？
跟磁性材料的特性有 存储效率的五种提升方法 4月08日 第三届·无线通信技术研讨会 立即报名 12月04日 2015•第二届中国IoT大会 精彩回顾 10月30日ETF•智能硬件开发技术培训会 精彩回顾 10月23日ETF•第三届 消费
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