MOSFET的G极和S极倍击穿短路情况分析

系统的电源输入端口电路如图所示。

发现PMOS管Q1001的G极和S极被击穿（短路），其余都没有发现故障。

当用新物料更换Q1001后系统正常工作，当是工作几次后（上电，下电），Q1001的G极和S极再次被击穿。

没有图片呀 推测G S击穿主要是泄放电阻不行造成的
王工是说驱动电平又高到低时，GS电压的泄放路径吗，是把驱动电阻减小或者在驱动电阻上并一颗二极管？
是的本人理论知识浅薄 往往表达不够专业 见谅
没有超过mos管的使用电压吧？热耗比较大的时候，散热不好也有可能。

测试GS 两端的电压有没有超出SPEC

大电流电感

拆了魅族5V，3A适配器 拆了魅族的5V，3A适配器，感觉不错。芯片不知道1780H22，还是1760H22,下面还有R8JWW.02丝印不知道谁家的方案，输出用贴片芯片丝印4262E，GAH18MOS同步整流。还有个芯片丝印6GOW六个

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