大电流电感
图5 ，栅极驱动的数插件电感器值(VGD)改变时，RDSon就会变化，但是开关损耗降低。
可变栅极驱动的效果如图5所示。如果任意给定扁平型电感相位内的电流很低，则可以降低栅极驱动电压以便降低该相位的栅极驱动损耗。代价是RDS(on)值稍微增加，因此该相位的导通损耗提高。然而，如果为所选MOSFET选择了合适的数值，则可扁平线圈电感以降低总功率损耗。如果相电流很高，就会提高栅极驱动电压，以便降低RDS一体电感器(on)和导通损耗。IR的CHIL?数字控制技术让我们能够针对MOSFET、相位数量和每个相位的电流水平来优化这些参数，从而利用服务器VR解决方案实现最大效率增益。
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