背景 如果对ST公司的μPSD器件有一定了解,熟悉MCS-51系列单片机的内部结构及原理,使用过PSDSOFT EXPRESS和KEIL开发设计,将对理解本文有很大的帮助。 MCS-51单片机采用哈佛结构的系统结构,即数据存储器空间与程序存储器空间互相独立。它有16根地址总线,最大寻址能力为64K,这决定程序或数据空间不能超过64K。以上两点是本文所有讨论的前提基础。 μPSD的存储器系统结构 μPSD由标准8032核和ST公司的PSD(可编程系统器件)构成,存储器系统包含两个主要部分,一是8032的内部存储器资源:256B内部RAM和128B内部特殊功能寄存器SFR;二是PSD中的存储器模块:主/次FLASH存储器,扩展的SRAM及控制PSD的CSIOP(Chip-Select I/O Port,类似于8051的SFR)。μPSD的主/次FLASH是完全相同的存储介质(早期的PSD813F1中的次存储器是EEPROM结构的),是两个独立的存储器。主FLASH通常分4~8块,每块16~32kb;次FLASH通常分2~4块,一般每块为8kb。μPSD中使用译码可编程译码逻辑阵列(DPLD),页寄存器PAGE,存储器控制寄存器VM,联合实现对存储器系统的配置。 关于IAP和分页技术 为什么μPSD中要有两个FLASH?简单地说,这是为了实现IAP而设计的。IAP就是 “在应用中编程或升级代码”,其原理是:单片机中装有一套用户程序和一套代码更新程序。正常情况下,单片机运行的是用户程序;在需要程序升级时,系统会切换到代码更新程序,通过串口或其他通信口下载新的用户程序代码,并写入到原来的用户程序存储器中,更新完成后,再切换回至用户程序。基于MCS-51系统结构特点,在同一个存储器中运行主程序和改写程序是不可能实现的。所有用MCS-51来实现IAP功能的系统都必须有两个独立的存储器。实现IAP的难点在于存储器的切换控制,体现在μPSD中主要就是如何使用VM寄存器以及如何对存储器的片选控制。
进行传导干扰分析与优化有哪些靠谱的仿真工具推进行传导干扰仿真分析,目前了解到主要有两种仿真方式通过电路仿真工具;通过创建传导干扰的高频电路仿真模型来进行;难点在干扰源建模、耦合通道建模(含寄生参数);如Saber软件可以 见过最好的对充电原理的描述!!!(建议通篇连读)二. 经典的三段式充电其实给锂离子电池充电的过程和我们生活中用水龙头向洗脸盆放水的过程非常类似:第一阶段:当开始给一个空的脸盆放水的时候,为了不让水溅出来,会把水量控制得很小;第二阶段:等到脸盆底部积满了一定水位之后,才把水龙头开得比较大,脸盆里已有的水可以对这样急速的进水起到缓冲作用,从而不会有水花溅出;第三阶段:当水位快到脸盆顶部的时候,此时我们又会逐渐减小进水量,以防止有水冲出脸盆之外,直至积满整个水盆。 电池就像这个脸 仪器可否试用 此类仪器可以在我们公司试用吗?
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