此外，随着应用要求越来越高，代码长度不断增加，64K的限制已经成为设计中的瓶颈。许多软/硬件供应商都竭力推出自己的方案以实现MCS-51对大于64K的支持，分页技术应运而生。 分页设计中最重要的就是公共区和分页区的设置，所谓公共区就是在所有的页面中均为有效的一块存储器区。在程序空间中，64K范围（1页）内的程序是连续的，一旦超过此范围，只保留低16位，最高位将被丢弃，程序会跳回开始处运行。保证程序在页面切换时不会“跑飞”就是通过公共区实现的。分页技术的实现方法是：当程序在调用位于分页区的程序时，首先保存返回地址，然后转跳到公共区执行，再修改页寄存器到新的页号实现页面的切换，调用程序，返回到公共区，恢复原来页号，最后从保存的返回地址返回。 公共区的大小由用户自行设定，在μPSD中通常使用主/次FLASH中的一块或多块作为公共区，如使用1块次FLASH即8KB，2块次FLSAH即16KB，1块主FLASH则是32KB，若只想使用主FLASH中的20KB作公共区也是可行的，只要将主FLASH的地址范围只定义为20K的范围就可以了。当然，公共区的大小不能超过64K。公共区必须设在64K范围的低端，这是因为MCS-51中断入口地址的原因。公共区中保存所有的公用子程序，中断服务程序，全局常数表以及系统的初始化部分及页面切换程序。 μPSD存储器的空间配置
μPSD中存储器系统配置主要是对程序空间的设置，相对而言数据空间的配置稍微简单一点。μPSD中主/次FLASH可设置为程序或数据空间，这是由VM寄存器决定的，VM寄存器的作用如表1所示。VM的内容可在运行时由MCU进行修改，这是实现IAP的关键。在PSDSOFT软件流程中可设置主/次FLASH为程序、数据存储器或程序/数据混合存储器，实际上就是对VM寄存器上电时的默认值进行设置，换句话说，就是确定上电时主/次FLASH分别位于什么空间。
进行传导干扰分析与优化有哪些靠谱的仿真工具推进行传导干扰仿真分析，目前了解到主要有两种仿真方式通过电路仿真工具；通过创建传导干扰的高频电路仿真模型来进行；难点在干扰源建模、耦合通道建模（含寄生参数）；如Saber软件可以 见过最好的对充电原理的描述！！！（建议通篇连读）二. 经典的三段式充电其实给锂离子电池充电的过程和我们生活中用水龙头向洗脸盆放水的过程非常类似：第一阶段：当开始给一个空的脸盆放水的时候，为了不让水溅出来，会把水量控制得很小；第二阶段：等到脸盆底部积满了一定水位之后，才把水龙头开得比较大，脸盆里已有的水可以对这样急速的进水起到缓冲作用，从而不会有水花溅出；第三阶段：当水位快到脸盆顶部的时候，此时我们又会逐渐减小进水量，以防止有水冲出脸盆之外，直至积满整个水盆。 电池就像这个脸 仪器可否试用 此类仪器可以在我们公司试用吗？
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