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经典电源保护电子电路设计精华盘点 —电路图天天读(199)

时间:2015-11-30  来源:扁平线圈电感厂家  点击:

  N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间,电阻R1为MOS管提供电压偏置,利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开,从而防止电源反接给负载带来损坏。正接时候,R1提供VGS电压,MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通,所以起到防反接作用。功率MOS管的 Rds(on)只有20mΩ实际损耗很小,2A的电流,功耗为(2×2)×0.02=0.08W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。

  经典电源保护电子电路设计精华盘点 —电路图天天读(199)

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  编辑点评:上图中VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管,NMOS管的导通电阻比PMOS的小,NMOS管接在电源的负极,栅极高电平导通,PMOS管接在电源的正极,栅极低电平导通。本文着重介绍了电源中保护电路设计过程,利用场效应管的导通电阻作为检测电阻,监视它的电压降,当电压降超过设定值时就停止放电。在一般的情况下,电路中一般还加有延时电路,以区分浪涌电流和短路电流,总得来说电路功能比较完善,值得仔细品读。

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