射频PA+FEM导杂散差的原因分析

问题：射频 PA+FEM 加上屏蔽罩的传导杂散更差（DCS 的二三次谐波），不知是何原因，请赐教！可能原因三个 :1. 匹配组件受 Shielding Cover 影响 以至于阻抗偏了如下图 :若 Shielding Cover 跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大尤其是早期 0402 组件更容易这样 但现在 0201 组件很少会这样了2. RF 讯号泄漏到 PA 的 Vcc当你盖上屏蔽罩时 PA 会把 RF 讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的 TX 讯号若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的 TX 讯号 会通通流到 GND若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的 TX 讯号一部分流到 GND 一部分会再反射若反射的 TX 讯号 打到 PA 的 Vcc 那当然 TX 性能就劣化3. 屏蔽罩跟 PA 离太近 之间的寄生效应 改变了 PA 特性验证方式 :第一种现在很少见了 所以就不提第二种的话 可以这样验证 如下图：因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差那凶手就可能是来自这原因值得注意的是 那个 DC Block 要加避免 Vcc 的直流电源 回灌到 PA 或 CMW500第三种的话 在没加屏蔽罩状况下在 PA 上方先贴个胶带 再随便放个金属片一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差那凶手就可能是来自这原因解决方案：第一种现在很少见了 所以就不提第二种的话因为凶手是来自 RF 讯号灌入 Vcc 所以你在 Vcc 那边摆放一个落地电容 让灌入 Vcc 的 RF 讯号流到 GND既然你主频是 DCS 以 0201 的电容来讲 你就放个 18 pF第三种只能改结构要嘛把屏蔽罩跟 PA 之间距离拉大不然就是 PA 上方直接开天窗

大电流电感

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一.电压电流可调改装


二.输入输出端改装.


三.面板表

注塑加工厂