图4是工艺角为tt，t=27℃时的启动仿真，此基准需要3 μs就可建立正常状态，这是由于基准核心中的Cc1选取为比较小的2 pF的结果，这样做的另一个结果就是中频PSR有所降低，实际电路可根据需要选取Cc1的大小，如果需要中频PSR较大，但对启动时间要求较低时，可以选取大Cc1(如Cc1选取10pF，则最高PSR将降为-28dB，但启动时间升至10μs)。LDO、ref、bg的启动过程比较平稳，没有过冲现象。
MBC控制作用的简述：在1&电感器企业mu;s时流过100μA的启动电流，当LDO、ref、bg建立最低工作电压后，启动电路开始关断过程，电流急剧减小，并最终在2&m共模电感器u;s时接近0A。整个电路正常运行时消耗的电流是266μA。
2．2 温漂仿真
图5为不同工艺角下的温漂仿真。仿真结果表明，此电路可以达到ref-45 ppm、bg-7．5 ppm的低温漂。实际电路存在器件的不匹配和扁平型电感误差等，虽然达不到理论上的温漂，但通过仔细布版、修调带隙核心电路中Rc1、Rc2，可以达到较低的温漂。
2．3 PSR的仿真
图6为工艺角tt，vcc=8.5V，t=27℃时的PSR的仿真，此基准对电源干扰的抑制能力较强，4．75V输出电压在工作频率60 k左右时的PSR达到了-75．1 dB，能有效抑制由半桥产生的震荡；而且对来自数字部分的高频震荡也有较强的抑制能力。
表1为输出电压bg在不同工艺角下的PSR的仿真结果，本电路在不同工艺角下都能在高电源干扰的芯片中正常工作。
3 结论
本文通过结合LDO与B大电流电感rokaw基准核心，设计出了高PSR的带隙基准，此带隙基准输出的1．186 V电压的低频PSR为-145 dB，最高PSR为-36 dB，温漂可以达到7．5 ppm，适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分，使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。此电路根据需要还可以修改基准核心中的Rc3工字电感、Rc4，采用多段电阻分压方式，以输出多种参考电压，方便灵活定制芯片。
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反射电压 ： Vinmin*Dmax=Vor*（1-Dmax）
电感量 ： Lp=Dmax*Vinmin/（fs *△Ip ）
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