 图6. a)传统架构，b)分段式架构 专有(专利)分段式架构采用级联连接，可以最大限度地减少开关总数。图6b的例子显示的是两段式架构，由两种类型的模块组成，即左侧的MSB和右侧的LSB。 左侧上下模块是一串用于粗调位数的开关(MSB段)。右侧模块是一串用于精调位数的开关(LSB段)。MSB开关粗调后接近RA/RB比。LSB串的总电阻等于MSB串中的单个阻性元件，LSB开关可对主开关串上的任一点进行比率精调。A和B MSB开关为互补码。 分段式架构的开关数量为: N = 2m + 1 + 2n – m, 其中n是总位数，m是MSB字的分辨率位数。例如n = 10 and m = 5, 则需要96个开关。 分段式方案需要的开关数少于传统开关串: 两者相差的开关数 = 2n – (2m + 1 + 2n – m) 在该例中，节省的数量为 1024 – 96 = 928! 两种架构都必须选择不同电阻值的开关，充分考虑到模拟开关中的交流误差源。这些CMOS(互补金属氧化物半导体)开关由并行P沟道和N沟道MOSFET构成。这种基本双向开关可以保持相当恒定的电阻(RON) 信号可达完整的供电轨. 带宽 图7显示的是影响CMOS开关交流性能的寄生器件.  图7.CMOS开关模式. CDS = 漏极-源级电容; CD = 漏极-栅级 + 漏极-体电容; CS = 源级-栅级 + 源级-体电容. 传递关系如以下公式定义，其中包含的假设为: 源阻抗为 0 无外部负载影响 无来自CDS的影响 RLSB << RMSB  其中: RDAC是设定电阻 RPOT是端对端电阻 CDLSB是LSB段的总漏极-栅级 + 漏极-体电容 CSLSB是LSB段的总源级-栅级 + 源级-体电容 CDMSB是MSB开关的漏极-栅级 + 漏极-体电容 CSMSB是MSB开关的源级-栅级 + 源级-体电容 moff是信号MSB路径的断开开关数量 mon是信号MSB路径的接通开关数量 传递公式受各种因素影响，与代码存在一定关联，因此我们采用以下额外假设来简化公式 CDMSB + CSMSB = CDSMSB CDLSB + CSLSB >> CDSMSB (CDLSB + CSLSB) = CW (详见数据手册) The CDS对传递公式没有影响，但由于其出现的频率通常比极点高的多RC 低通滤波器是主要的响应。理想的近似简化公式为：  带宽(BW)定义为:  其中CL是负载电容. The BW与代码有关，最差的情况是代码在半量程时，AD5292的数字值为29= 512，AD5291的数字值为27 = 128 (见目录). 图8显示的是低通滤波效应，它受代码影响，在不同标称电阻与负载电容值时会发生变化.  图8.各种电阻值的最大带宽与负载电容 PC板的寄生走线电容也应加以考虑，否则最大带宽会低于预期值，走线电容可以采用以下公式简单计算：  其中 εR是板材的介电常数 A是走线区域(cm2) d是层间距(cm) 如，假设FR4板材有两个信号层和电源/接地层, εR = 4, 走线长度 = 3 cm宽度 = 1.2 mm, 层间距 = 0.3 mm; t则总走线电容约为 4 pF. 失真 THD用于量化器件作为衰减器的非线性。该非线性由内部开关及其随电压变化的导通电阻 RON而产生。图9所示为放大的幅度失真示例.  图9.失真 与单个内部无源电阻相比，开关的RON很小，其在信号范围内的变化则更小。图10显示的是典型的导通电阻特性。 
资本丨风华高科75亿项目即将启动，国产MLCC迎历史前言：随着我国电子行业的快速发展，我国已成为 MLCC 的重要需求市场。但高端 MLCC 话语权几乎掌握在日韩企业手中，发展自主可控、国产保障的电子元器件产业已迫在眉睫。高端市场 这样放对吗？
不对咋接呢，反过来吗 [开关电源]求助明纬24V开关电源启动过程分析和大家好，小弟菜鸟一个。 遇到开关电源坏了，想着自己修好。 现象是2个功率管炸了。 于是淘宝上买到同型号的替换，基极的小电阻和电容也一并换了。 换好后电源还是无法工作，表现为：输出电压大约10几伏，并且电压缓慢上升。 电源吱吱的响。 测量2个功率管的基极电压，一个功率管导通，另一个不工作。 请问大家，1这个现象正常吗？ 2开关电源的启动过程是？3我这种情况的维修思路？谢谢 附电路图：494坏了吧？…jjeemm77 发表于 2017-4-25 10:36494坏了吧？…4
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