
(2)实际电路设计
图1电路中,Q11,Q12,Q9,R10提供迟滞反馈回路。Q13相当于图绕行电感器3中的开关K。Q11,Q12,Q13构成电流镜,当Q12集电极有电流流过时,Q11,Q13集电极也有电流流过。当C点电压高于D点电压时,Q10导通,Q12集电极中有电流流过,Q11的集电极,电流流过R10,Q9的发射极电位升高,Q9截止,迟滞比较器处于一种工作状态(相当于图3中K闭合),设此时流过R8中的电流为IH。当C点电压低于D点电压时,Q10截止,Q12集电极中没有电流流过,Q9的集电极电位变低,电感电容滤波器Q9导通,迟滞比较器处于另一种工作状态(相当于图3中K打开),设此时流过R8中的电流为IL。
迟滞过程为:当C点电压从低电平逐渐增加时,Q10截止,Q12集电极中没有电流流过,Q9的发射极电位变低,Q9导通,流过R8中的电流为IL;当C点电压与D点电压相等时,比较器发生翻转,设此时D点电压为VH,Q10导通,Q12集电极中有电流流过,Q11的集电极电流流过R10,Q9的发射极电位升高,Q9截止,流过R8中的电流变为IH,Q9由截止变为导通,引起流过R8的电流变化量△IR8=IL-IH,R8两端的功率电感器电压变化量为△V=R8×△AIR8,相当于迟滞比较器的负端电压减少△V,当C点电压低于VH-△V时,迟滞比较器发生翻转。于是迟滞比较器的迟滞电压为△V。
(3)整体电路的门限电压和迟滞电压
当VFB从低电平逐渐增加时,Ic2>Ic1,于是C点电压高于D点电压,Q10导通,Q9截止。当输入电压VFB达到带隙比较器的翻转门限时,Ic2=Ic1,此时迟滞比较器发生翻转,Q10截止,Q9导通,设此时的VFB=VOH,则有:

当VFB从超过VOH电压逐渐减小时,迟滞比较器的工作点发生变化,只有当迟滞比较器的电压达到下翻转门限时,迟滞比较器才翻转,于是当VFB减小到VFB=VOH时,Q10并不导通,VFB继续减小,当迟滞比较器的电压达到下翻转门限时,迟滞比较器才会发生翻转,Q1共模电感器0导通,设此时的VFB=VOL,则有:

式中:△U是△V等效到IN端的输入电压;△V是迟滞比较器的迟滞电压。于是整体电路的输入端FB迟滞电压为△U。它与Q9导通时流过的电流、R8大小有关。调节R9,R10的大小可以改变Q9导通时流过的电流,也就可以调节这个迟滞电压。改变R8的大小可以直接调整迟滞电压。
2 仿真验证
迟滞比较器的仿真波形如图4~图6所示,图4为输出电流IOUT与输入信号FB的关系图。从图中可以看出,该电路能够实现8 mV的迟滞功能。图5和图6分别为迟滞比较器翻转门限随电源电压和温度的变化结果。可以看出,迟滞比较器的翻转门限随温度和电压变化均较小,验证了电路的稳定性较高。


3 结语
传统的带隙基准工字电感器电路和迟滞比较器电路占芯片面积较大,工作电压和功耗都比较高。本文设计的具有带隙结构的迟滞比较器工作电压低至1.2 V,大大节省了芯片面积,适用于微功耗DC—DC转换器中,主要用于镍镉、镍氢和碱性电池供电的便携式产品。
开关电源输出过高的尖峰电压是什么引起的为什么开关电源输出有这么高的尖峰是什么引起的!好像滤波不起作用了示波器带宽限制为20M ,也设置了开关电源开关频率40K但是这个尖峰频率测得明显是高于40K很多有时候有300K左 电感详解及设计规范磁性元件的设计是开关电源设计中的重点和难点,究其原因是磁性元件属非标准件,其设计时需考虑的设计参数众多,工艺问题也较为突出,分布参数复杂。为帮助硬件工程师尽快了解磁性元 Loto实践干货(5)单片机的上电复位故障用示波器最近采用CY7C68013A芯片设计了一款产品,其实内部就是一个51单片机,控制USB通讯。在测试过程发现部分电路板上电后,电脑无法发现新USB硬件,也不提示无法识别,设备管理器也没有UNKN
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