Figure 4 是具有驱动器源极引脚的 MOSFET 的驱动电路示例。 它与以往驱动电路（Figure 2）之间的区别只在于驱动电路的返回线是连接到驱动器源极引脚这点。  从电路图中可以一目了然地看出，包括 VG 在内的驱动电路中不包含 LSOURCE，因此完全不受开关工作时的 ID 变化带来的 VLSOURCE 的影响。
如果用公式来表示施加到内部芯片的电压 VGS_INT 的话，就是公式（2）。 当然，计算公式中没有 3 引脚封装的公式（1）中存在的 LSOURCE 相关的项。 所以，4 引脚封装 MOSFET 的 VGS_INT 仅受 RG_EXT 和 IG 引起的电压降 VRG_EXT 的影响，而且由于 RG_EXT 是外置电阻，因此也可调。 下面同时列出公式（1）用以比较。  能给我们看一下比较数据吗？这里有双脉冲测试的比较数据。
这是为了将以往产品和具有驱动器源极引脚的 SiC MOSFET 的开关工作进行比较，而在 Figure 5 所示的电路条件下使 Low Side（LS）的 MOSFET 开关的双脉冲测试结果。 High Side（HS）是将 RG_EXT 连接于源极引脚或驱动器源极引脚，并仅使用体二极管换流工作的电路。  Figure 6 是导通时的漏极 - 源极间电压 VDS 和漏极电流 ID 的波形。
这是驱动条件为 RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID 约为 50A 时的波形。 红色曲线的 TO-247-4L 为 4 引脚封装，蓝色的 TO-247N 为以往的 3 引脚封装，其中的 SiC MOSFET 芯片是相同的。 我们先来比较一下虚线 ID 的波形。 与蓝色的 3 引脚封装品的波形相比，红色的 4 引脚封装的 ID 上升更快，达到 50A 所需的时间当然也就更短。  虽然 VDS 的下降时间本身并没有很大的差别，但栅极信号输入后的开关速度明显变快。
就像您前面说明的，区别只在于 4 引脚封装通过设置驱动器源极引脚，消除了 LSOURCE 的影响，因此它们的开关特性区别只在于 LSOURCE 的有无所带来的影响？可不可以这样理解？基本上是这样。 当然，也有一些应该详细查考的事项，但如果从栅极驱动电路中消除了 LSOURCE 的影响，则根据 Figure 4 中说明的原理，开关速度将变快。 关于关断，虽然不像导通那样区别显著，但速度同样也会变快。 这就意味着开关损耗得到了大幅改善。 这里有导通和关断相关的开关损耗比较数据。  在导通数据中，原本 2,742µJ 的开关损耗变为 1,690µJ，损耗减少了约 38%。
在关断数据中也从 2,039µJ 降至 1,462µJ，损耗减少了约 30%。 明白了。 最后请你总结一下，谢谢。 SiC MOSFET 具有超低导通电阻和高速开关的特点，还具有可进一步缩小电路规模、提高相同尺寸的功率、以及因降低损耗而提高效率并减少发热量等诸多优点。 另一方面，关于在大功率开关电路中的功率元器件的安装，由于必须考虑寄生电感等寄生分量的影响，如果开关电流速度明显提高，那么其影响也会更大。 这不仅仅是实装电路板级别的问题，同时也是元器件封装级别的课题。 此次之所以在最新一代 SiC MOSFET 中采用 4 引脚封装，也是基于这样的背景，旨在在使用了 SiC 功率元器件的应用中，进一步降低损耗。 这里有一个注意事项，或者说是为了有效使用 4 引脚封装产品而需要探讨的事项。 前面提到了通过消除封装电感 LSOURCE 的影响可提高开关速度并大大改善开关损耗。 这虽然是事实，但考虑到稳定性和整个电路工作时，伴随着开关速度的提高，也产生了一些需要探讨的问题。 就像“权衡（Trade-off）”一词所表达的，电路的优先事项一定需要用最大公约数来实现优化。
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