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射频电子电路设计图集锦TOP8 —电路图天天读(135)

时间:2015-12-24  来源:扁平线圈电感厂家  点击:

  WLAN射频优化的解决方案设计详解

  图1:全球智能手机出货量统计

  WLAN射频优化的解决方案设计详解

  图2:智能手机内部架构

  为满足对智能手机WLAN连接标准不断提升的需求,恩智浦半导体即将推出两款集成开关的低噪声放大器芯片(LNA+SW)BGS8324(图3)和BGS8358(图4)。

  WLAN射频优化的解决方案设计详解

  图3:BGS8324 2.4GHz (IEEE 802.11b/g/n)前端芯片架构

  WLAN射频优化的解决方案设计详解

  图4:BGS8358 5GHz (IEEE 802.11a/n/ac) 前端芯片架构

  BGS8324是工作在2.4http://www.siyinzg.com/贴片电感 GHz频段的WLAN接收前端芯片,支持IEEE 802.11b/g以及IEEE 802.11n的2.4GHz频段,同时兼顾蓝牙的共存。该产品采用2mm×2mm的QFN封装,无需外部匹配器件,具有体积小、功耗低、设计简单等特 点。该芯片支持2.7V到6V的电压,具有接收放大、直通、发射和蓝牙四种模式,并内置对5.8GHz共存信号的防阻塞功能。BGS8358是工作在5GHz频段的WLAN接收前端芯片,支持IEEE 802.11a/ac以及IEEE 802.11n的5GHz频段。该芯片采用1.5mm×1.5mm的QFN封装,同样不需要外部匹配器件,具有体积小、功耗低、设计简单等特点。该芯片支 持2.7V到6V的电压,具有接收放大、直通和发射三种模式,并内置对2.4GHz共存信号的防阻塞功能。

  本文回顾了WLAN的物理层标准IEEE 802.11的演进历程,分析了该标准历次修正通过工作带宽电感厂家的增加以及MIMO技术的运用使得数据吞吐量大幅提高的趋势。考虑到WLAN在智能手机中的广 泛应用,为迎合最新的WLAN标准,恩智浦半导体推出了用于智能手机WLAN射频方案的BGS8324和BGS8358两款产品,以兼容IEEE 802.11a/b/g/n/ac各种标准,同时,还兼顾到2.4GHz频段蓝牙的共存。这两款产品具有体积小、功耗低、设计简单等优点,具有广阔的市场 前景。

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标签:智能硬件(1)功率放大(1)射频(1)

  TOP6 射频前端功率放大偏置电路

  偏置电路:有扫描结果可以得到管子工作点的各项参数。为保证管子始终工作在线性放大区,选择直流工作点为VDS=5V,IDS=0.8A,VGS=-0.4V。 由模拟电子技术的知识可得,偏置电路可有两种形式:自偏压电路和分压式自偏压电路。

  自偏压电路比较简单,但是当静态工作点确定之后,VGS与ID就确定了,因而R的选择的范围很小。分压式自偏压电路是在其基础上加接分压电阻后组成的。漏极电源VDD经过分压电阻R5和R1分压后,通过R4供给栅极电压VG=R1*VDD/(R1+R5),同时漏极电流在源极电阻R3上也产生压降 VS=ID*R3,可知静态时加在FET上的栅源电压? 。

  射频前端功率放大偏置电路模块

  图中C1、C2为隔直电容,C3去耦电容,L1、L2为去耦电感。因为在大信号仿真时为了提高电源效率,故选择Vdd的值比较小。R3、R4的值比较小也是为了降低消耗在其上的直流功率,而提高电源的效率。

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