1.当在电流采样上加震荡的正斜率补偿时,有的是直接将3843的3脚(Isense)和4脚(Osc)通过电阻接起来,有的是用N管,如图,在忽略管压降的前提下,请问这两种方法有啥区别吗? QQ截图20200513205334.png (112.2 KB, 下载次数: 5)下载附件图A2020-5-13 21:11 上传 斜坡.jpg (25.99 KB, 下载次数: 4)下载附件图B2020-5-13 21:11 上传2.如上图A中3脚的电压应该是等于[R12/(R10+R12)*采样电压+R10/(R10+R12)倍*4脚电压]吗? 最佳答案 nc965 查看完整内容 1、按右图设计就好,那是标准,两个元件又不是什么难事,一定奏效。 左图也许不奏效,即使奏效也可将就右图R1焊盘位置,无需单独考虑。 2、R2、C按前沿消隐配置,一般1K100p,0.1us(不要超过LEB),R1比R2大,最大可大10倍,以调试为准,够用为止,没啥好算的。 建议用第二种比较好,第一种看是比较简单,但是通过RC震荡点接电阻去CS采样脚,会影响原来RC的震荡频率;第二种方案这种影响就比较小; 对的对的我也发现了,实测会有震荡,蓝色的是RC脚,这么说的话,理论上这两种方法是一样的吧,我说的是忽略压降的前提下,3脚叠加斜率后的值,两种方法是一样的吗?不知道版主可有计算后的值,小弟想验证一下自己计算的是否正确呢。 11.png (79.68 KB, 下载次数: 5)下载附件2020-5-14 14:24 上传 1、按右图设计就好,那是标准,两个元件又不是什么难事,一定奏效。
左图也许不奏效,即使奏效也可将就右图R1焊盘位置,无需单独考虑。 2、R2、C按前沿消隐配置,一般1K100p,0.1us(不要超过LEB),R1比R2大,最大可大10倍,以调试为准,够用为止,没啥好算的。 楼主能分享一下SCH原理图和设计资料吗,需要抓紧做一个flyback电路,有偿 实验室资料不能外传,抱歉 那你这个反激变换器的实物做出来了吗,实验测试效果怎么样
反激变压器计算式时用AP法确定磁芯反激变压器计算式时用AP法确定磁芯各位用什么公式啊?网上找了一圈,发现历程讲到磁芯计算这块都是说根据AP法选用某某磁芯,找了下AP法计算磁芯面积乘积的公式,发现各个人将的方法 Y电容接地方式如图所示Y电容C3、C4在共模后接地,而我发现几乎所有的滤波电路接地Y电容都是在共模电感后,那么把接地Y电容接在共模前很多人说EMI滤波效果差?这是一定的吗?理论依据是什么呢?微信 电平转换MOS 应用问题最近做了一个案子,发现经常烧MOS,现象是DG间缓慢击穿(暂且用击穿这个词),大概是开机2~3天,这个MOS DG间二极体阻抗就会减小很多,甚至直接击穿(D极直通+12V),这个问题困扰很久,没弄明白
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