我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。 NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。
 Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
[稳压电源]请教LM317的二极管保护电路如题，D1是保护IC输出端短路时的情况，D1是保护输入端短路的情况，请教一下具体怎么个保护法，不是很清楚，D1、D2都是1N4001，一般应用的是它的最大反向电压啊，这个是怎么回事满意回复+5静闪电 查看完整内容2#分析有误，图中的D2才是输入端短路时保护LM317的，输入端短路或输入端电源断开而输出端负荷较轻两种情况下，C2上电压下降比C1慢，如果没有D2，LM317的OUT与IN ...+4中国机器 查看完整内容楼主有笔误，图中的D1，在输入端短路时保护LM317，输入端短路或输 基于EPM1240的SDRAM控制器的设计摘要：SDRAM的读写逻辑复杂，最高时钟频率达100 MHz以上，普通单片机无法实现复杂的SDRAM控制操作，复杂可编程逻辑器件CPLD具有编程方便，集成度高，速度快，价格低等优点。因此选用CPLD设 LDO引言便携电子设备不管是由交流市电经过整流(或交流适配器)后供电，还是由蓄电池组供电，工作过程中，电源电压都将在很大范围内变化。比如单体锂离子电池充足电时的电压为4.2V，放完电后的电压为2.3V，变化
1/5 1 2 3 4 5 下一页 尾页 |
在线客服1号