四、连接和编址方式
两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。
NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。
NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别
一、NAND flash和NOR flash的性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
[稳压电源]请教LM317的二极管保护电路如题，D1是保护IC输出端短路时的情况，D1是保护输入端短路的情况，请教一下具体怎么个保护法，不是很清楚，D1、D2都是1N4001，一般应用的是它的最大反向电压啊，这个是怎么回事满意回复+5静闪电 查看完整内容2#分析有误，图中的D2才是输入端短路时保护LM317的，输入端短路或输入端电源断开而输出端负荷较轻两种情况下，C2上电压下降比C1慢，如果没有D2，LM317的OUT与IN ...+4中国机器 查看完整内容楼主有笔误，图中的D1，在输入端短路时保护LM317，输入端短路或输 基于EPM1240的SDRAM控制器的设计摘要：SDRAM的读写逻辑复杂，最高时钟频率达100 MHz以上，普通单片机无法实现复杂的SDRAM控制操作，复杂可编程逻辑器件CPLD具有编程方便，集成度高，速度快，价格低等优点。因此选用CPLD设 LDO引言便携电子设备不管是由交流市电经过整流(或交流适配器)后供电，还是由蓄电池组供电，工作过程中，电源电压都将在很大范围内变化。比如单体锂离子电池充足电时的电压为4.2V，放完电后的电压为2.3V，变化
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