请教用于IGBT驱动的推挽电路，三极管和MOSFET的选择？

新手，有几个疑问向电源网的诸位前辈请教，希望有人能看到~~~感激不尽！

一、上图是用的三极管搭的的电路，Vout为驱动IC的输出约±14V；

1、开通过程是不是这样子的：开通时瞬间NPN晶体管e极电位Ve为0，

Ib很大→Ic=β*Ib大→Ve大→Vb大→Ib=（Vout-Vb）/10，Ib小；最后达到一个平衡！

实测直到Ve打到13.5V左右的样子时稳定。

2、晶体管工作在放大区，Ic=β*Ib，所以会受Ib限制，而Ib是在逐渐减小，那么给IGBT门极充电的电流Ic会不会因受Ib限制而在开通过程供应不足？

3、怎样提升晶体管响应时间？让开通过程尽可能快的达到这个平衡状态，调整晶体管输入的电阻以增大Ib么？

二、如果不用晶体管而用MOSFET。

如图，因为MOSFET要保持开通的话Vgs要维持一个电压值，所以如果D极供电、S极输出的话Vs会比Vg小个几V，

所以我看到别人好像都是用的上面的方案。

我的疑问

3、如果VCC=+15V,VEE=-15V,

如果Vout仍是±14V的话，原理上是可行的，+14V时下mos管开通，-14上mos开通，但是Vgs就会很大，接近30V。

如果vout 选择居中值比如0V时，上下mos时不时就都导通了？

Vout要如何配置才可行（是否需要相应调整VCCH和VEE）？

关注中，有试验吗

关注,那位大师出来点化一下.

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