本文提出了一种新的方法来实现双向闭锁箝位。通过在形成箝位器件两个引脚的高掺杂有效区域确定互补“T”形和孤岛，高电平注入再生反馈期间的电子驱动或空穴驱动小载荷电流增益得到了优化，同时还没有增加期间两个引脚的间距，从而获得了紧凑的双向高压闭锁箝位器件，保持电压在±25和±40 V之间，同时还具备高电流处理能力。 二、保护箝位器件定义 图1 （a） 和 （b） 分别显示双向空穴增强传导性 （BHEC） 与电子增强传导性 （BEEC） 箝位器件的部分透视图。两种结构中还显示、标注了简化原理图。箝位器件的第二个引脚（未显示）通过在“y”正向创建对称镜像来构建，处在H-NW和L-NW形成的浮动式n型区域接口处。高掺杂n+和p+有效区域具有“T”形三维透视图阵列，可以实现空穴驱动或电子驱动小载荷再生反馈的最佳电流增益调整和器件启动时进行高传导性调制。  图1，（a） 保持电压≥ ± 40|V与 （b） 保持电压≥ ± 25|V时双向箝位器件的部分透视图与简化原理图。 箝位器件表现为采用标准植入体的简化组合形式，这在0.18 μm以下的大型双极性CMOS–DMOS （BCD） 先进工艺中十分常见。具体而言，器件可以无需额外的工艺步骤进行优化。BHEC箝位器件显示一组相互独立的n+有效区域孤岛，从上方观察时与“x”方向对齐。BHEC箝位器件还包括“T”形p+注入与重组有效区域，以及在“x”方向延伸的狭长部分，还有一组从“y”正向向中央n型区域延伸的突出部分。狭长部分形成于n+有效区域的左侧，用于增强空穴注入及控制原位重组。每个突出部分都在两个相应的n+有效区域孤岛之间的空间中延伸出来。BEEC箝位器件的原理也一样，只是将“T”阵列和孤岛有效区域定义进行了反转，以增强电子注入效率并增加NPN晶体管Qn1的基极电阻RHPW。
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