关于MOS管驱动芯片电源端的电流问题？

驱动芯片经常说输出电流可以到2A、4A什么的，我知道这个是瞬间电流，那请问对应的芯片电源端的电流要多大呢？也是瞬间到2A、4A吗？那给驱动芯片供电的电源又应该选择多大的呢？还是说加个大电容就解决了？
MOS驱动电流，对应的就是方波边沿驱动过程，对应Qg越高，则同样时间驱动电流要求就越高。

由于只是驱动边沿才会产生对应的电流，而实际就是我们可以计算的驱动功率，而边沿瞬时脉冲电流，完全可以用一个合适的电容并联在驱动芯片供电端来提供该瞬间电流。

那也就是说可以根据需要的电流和Q=CV来算出一个电容的大小，放置一个电容就好了，是吧？而不需要增大整个电源的功率。

根据管子Qg算出等效电容，然后，芯片边上并联一个至少10倍的电容，就由这个电容来提供脉冲电流。

至于平均驱动功率，是F*Qg*Vgs来计算，当然有几个就算几路。

另外，Qg应该是这三个的和吧？按照这个计算，如果是15V的驱动，20K的开关频率，静态功耗也就20000*15*155*10^(-9)=46.5mW这样计算15V 1W的电源都绰绰有余了，是吧？
上面给出的，这是一个边沿过程的平均功率，可实际上，边沿都是对称的，一个周期，上下各一次，因此公式里面，还必须2倍，再然后，如果你用的是半桥，则还得再2倍，这才是算出来的实际栅极驱动平均功耗。

顺便说一下，Qg就是Qg，不需要另外几个加起来。

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