图3：NCP2824支持不削波和功率限制器模式的自动增益控制 除了具有低EMI和低失真，NCP2824在音频放大器的其它关键性能指标上也表现极佳。例如，这器件具有达95 dB的优异信噪比（SNR）性能，提供极佳的音频表现。此外，NCP2824也具有极佳的电源抑制比（PSSR），217 Hz频率时PSSR为-72 dB。NCP2824还提供高达92%的能效，有助于延长便携设备电池使用时间。这器件采用2.5 V至5.5 V电压工作，支持全差分输入（从而消除输入耦合电容），仅须使用1颗外部电容。这器件还提供短路保护电路，用于智能手机及移动互联网设备（MID）、导航设备、便携游戏机及便携式媒体播放器等应用。 耳机放大器性能要求及解决方案 智能手机用户期望通过耳机欣赏具有高保真（Hi-Fi）品质的音乐播放，这就要求耳机放大器具有低失真。由于耳机接近人耳，直接影响用户的听觉体验，故耳机放大器须无可听噪声，此特性对于耳机放大器的重要性比对于扬声器放大器的重要性更高。此外，耳机放大器也要求具有高能效，帮助延长音乐播放时间。 为了满足消费者对耳机音频质量更高的要求，智能手机等便携消费类设备需要高质量的立体声耳机放大器。而设计人员在设计立体声耳机放大器输出段时，需要从电容耦合及真实接地（true ground）等不同选择中选出更适合的方案。电容耦合方案的能效高，因为电源仅为正输出信号供电；但这种方案要使用大耦合电容（会滋生尺寸及成本问题），而且低频时声音品质较差。相比较而言，真实接地方案无须使用耦合电容，具有良好的低频响应性能，且耳机真接地配合使用常规转换器，但真实接地结构的能效不高。总的来看，真实接地方案提供更低失真及更小方案尺寸，重点是要提高能效，帮助延长音频播放时间。
碳化硅SiC与氮化镓GaN,新兴功率器件如何选? 新兴的SiC和GaN功率器件市场未来10年预计增长18倍，主要需求市场是电源、光伏逆变器和工业电机驱动。SiC肖特基二极管已经有10年以上历史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT 开关电源输出过高的尖峰电压是什么引起的为什么开关电源输出有这么高的尖峰是什么引起的！好像滤波不起作用了示波器带宽限制为20M ，也设置了开关电源开关频率40K但是这个尖峰频率测得明显是高于40K很多有时候有300K左 μPSD中存储器系统的配置 4月08日 第三届·无线通信技术研讨会 立即报名 12月04日 2015•第二届中国IoT大会 精彩回顾 10月30日ETF•智能硬件开发技术培训会 精彩回顾 10月23日ETF•第三届 消费
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